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ウィンボンド、高品質NANDフラッシュを発表 – 誤作動の許されないアプリケーションに向け、低コストにて提供

ウィンボンドの高品質NANDフラッシュが、NORフラッシュの容量問題を解決、車載システムメーカーに大容量コードメモリを提供

ニュルンベルグ/ドイツ及び台中/台湾 - 2018年2月27日 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは、誤作動の許されないアプリケーション使用に適した新クラスのNANDフラッシュICを発表。容量は512Mb以上で、高品質且つ長時間データ保持可能な製品を供給します。

新しい車載グレードSLC(シングルレベルセル) HQ(ハイクオリティ)シリアルNANDフラッシュにより、車載システムメーカーは、従来のNORフラッシュよりはるかに低いビット単価で自動運転システム等の洗練された最新のアプリケーションにコードストレージを実装することが可能になります。

ウィンボンドは新たな製造工程およびテストプロセスを取り入れ、従来のNANDフラッシュデバイス操作で発生するビットエラーを排除することにより、コードストレージの低価格オプションを実現しました。 既存の民生向け大容量NANDフラッシュ1xnmおよび2xnmノードではなく、ウィンボンドは46nmノードで製造し、セルあたりの電子数を増やし、データ保持時間を延ばします。 これらのアプローチにより、HQ NANDフラッシュは、今日市場に出回るNORフラッシュデバイスと同等の信頼性を得ることが出来ます。

シリアルペリフェラルインタフェースを備えた、車載グレードのウィンボンドHQシリアルNANDフラッシュは、バッドブロックなしの状態で出荷され、その状態を最大100回の書込み/消去サイクルまで保証します。また、バッドブロックマネジメントが不要なため、車載グレードNANDフラッシュのシステム統合がNORフラッシュのように簡単になります。

さらに、ウィンボンドのHQ NANDフラッシュは、最大100P/Eサイクル、85℃の動作温度で25年間のデータ保持特性が評価されています。また、テストデータでは、10,000P/E サイクル後での70度の動作温度で、15年以上のデータ保持も評価されており、NORフラッシュと同等のパフォーマンスが実証されています。

NORフラッシュのスケーリングは大変困難な問題ですが、この状況に応えるために、車載グレードSLC HQ NANDフラッシュは開発されました。ムーアの法則によって予測された半導体プロセスの微細化は、65nmのNORフラッシュでは劇的に減速し、45nmで大きな壁に突き当たっています。一方、自動車メーカーは、高度運転支援システム(ADAS)や自動運転システム、LIDAR距離検出などの新しいコンピューティング集約型アプリケーションを実装しようとしており、これまでの車載設計よりはるかに大きな容量が必要となります。つまり、車載システムメーカーがNORフラッシュの使用を継続すると、高信頼性メモリコンポーネントのコストが急上昇することになります。

NANDフラッシュは今後もスケーリングが進むため、ウィンボンドのコードストレージ向けHQ NANDフラッシュは、これらのアプリケーションにおけるビット単価やコストの低下に貢献します。現在販売中または開発中のHQ NANDフラッシュ製品は、46nmプロセスにて製造されており、ロードマップ上では32nmも展開しており、さらなる低ビット単価にての車載グレード品質維持に努めます。

「NORフラッシュは45nm以下のスケーリングが不可能であるため、コードストレージ用NORの高ビット単価がBOMコストに組み込まれてしまいます。大容量の要求が高まるにつれて、それが低下する見込みはありません。ウィンボンドはこの問題を解決するために、NAND型フラッシュを45nmのNOR型フラッシュの半分以下のコストで使用できるようにし、将来的には3xnmノードでさらに低ビット単価を実現する計画を立てています。」とウィンボンドのフラッシュメモリーマーケティング部ディレクター、Syed Hussain氏は述べています。

46nmのウィンボンドNANDフラッシュは512Mbと1Gbでサンプル提供可能です。HQシリアルナンドのW25N512GW(512Mb) 及びW25N01GW(1Gb) は供給電圧1.8Vにて、W25N512GV(512Mb)及びW25N01GV(1Gb)は供給電圧3Vにて作動します。

容量256Mb以下のSPI NOR製品から512Mbあるいは1GbのシリアルNAND製品へのマイグレーションは、ピン配置とフットプリントに変更がないため、スムーズな移行が可能です。

ウィンボンドは、2月27日から3月1日にドイツ・ニュルンベルクで開催されるEmbedded World 2018のArrow Electronicsブース(4A-340)にて、この新たな車載グレードHQシリアルNANDフラッシュファミリを紹介する予定です。

 

ウィンボンドについて

ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。ウィンボンドの主要製品には、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、及びコードストレージフラッシュメモリなどがあり、2016年のメモリ事業収益は10億USドル以上です。ウィンボンドは台湾、香港、中国、日本、イスラエル、米国にオフィスを構えており、世界で約2,500人の従業員を有しています。詳細についてはウェブサイトwww.winbond.comをご覧ください。

 

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製品に関する問合せ先
神永雄大
マーケティング部(ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社)
TEL: 045-478-1883
E-mail: TKAMINAGA@winbond.com

 

日本での問合せ先
行武良子
マーケティング部(ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社)
TEL: 045-478-1883
E-mail: RYUKUTAKE@winbond.com

 

企業広報責任者
Jessica Chiou-Jii Huang
副社長兼CFO(Winbond Electronics, Corp)
TEL: 886-3-5678168/886-987-365682

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