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  • 華邦電子推出高應用度產品: 256Mb, 512Mb, 1Gb DDR2 SDRAM

    高應用度產品: 256Mb, 512Mb, 1Gb DDR2 SDRAM 華邦高應用度之DDR2 SDRAM產品,包括: 256Mb (W9725G6IB系列), 512Mb (W9751G6IB系列), 1Gb (W971GG6IB系列)。華邦所有產品通過ROHS標準,且符合日本綠色採購調查標準化協會(JGPSSI) 嚴苛標準,適用於各類型的電子產品上. 華邦所有系列具有以下強大優勢: W97 DDR2 系列之產品控制可在1.7~1.9V的操作電壓下.且可操作於0℃~85℃的操作溫度範圍 (Tc) 內 (tREF 需為 64 ms), 或可操作於85℃~95℃的操作溫度範圍 (Tc) 內 (...

  • 華邦電子推出高應用度產品 2Gb DDR2 SDRAM (128Mx16 /256M x8) ,支援一般消費性電子及工業用/車用平台,挑戰業界最長產品生命週期!!

    (2015年6月22日台灣新竹訊) 華邦 高應用度產品2Gb DDR2 能操作於低溫-40℃~高溫95 (AG3) /105 (AG2) /115 (AG2 plus) ℃ 工業用/ 車用電子的作業環境 ,每項皆符合AECQ-100 規範 (美國汽車電子協會AEC,Automotive Electronics Council 制訂的車用可靠性測試標準 ) 。本產品最大特色是提供客戶最長產品生命週期支援,供貨持續至少十年以上,以保障客戶長期使用無虞。DDR2 提供 x8 FBGA-60 / x16 FBGA-84 的 I/O 介面,所有的BGA封裝均符合ROHS標準,亦符合日本綠色採購調查標準化...

  • 華邦電子於中部科學園區舉行12吋晶圓廠落成啟用典禮

    (臺北訊) 華邦電子股份有限公司4月20日假台中科學園區舉行12吋晶圓廠落成啟用典禮,現場出席的貴賓有國科會副主任委員楊弘敦、中科籌備處代理主任楊文科、台中縣長黃仲生、台中市副市長蕭家旗及客戶、廠商代表等產官學各界人士匯聚一堂,共同見證華邦12吋廠落成啟用之歷史性一刻。 華邦12吋晶圓廠的落成啟用宣示華邦正式跨入12吋廠量產的世代,這項490億的投資自2004年7月動土,同年12月上樑,2005年9月試產,今年第2季正式量產。該12吋廠共有Fab A及Fab B兩個廠, Fab A 目前每個月的產能約 8,000片,預計在年底達到每月24, 000片之生產目標,Fab B產能規劃亦為每個月24...

  • 華邦電子發表95年第一季業績

    (臺北訊) 華邦電子股份有限公司於28日對外公佈其2006年第一季之營收及獲利;第一季營收總計為新台幣六十二億零六百萬元,稅後盈餘為一億兩千四百萬元,每股純益0.03元。第一季之稅後盈餘相較去年第四季略有成長,第一季之EPS 亦較去年第四季有所改善。 華邦表示,從整體產業環境來看,第一季手持行動裝置需求以開發中國家如中國、印度之低階市場成長較多,高階產品需求則呈平緩,PC則由於季節性因素需求表現疲軟。由於公司策略運用得宜,毛利較上季成長,營業利益亦由負轉正,此外Driver IC 事業順利出售予其樂達公司對業外收入亦小有貢獻。 在邏輯產品事業群方面,邏輯產品之營收表現符合預期,其中微控制器相關...

  • 華邦電子推出英特爾規格256Mb DDR400 SDRAM DDR400記憶體將搭配支援雙通道、FSB800Mhz及AGP8X技術的晶片組,提昇PC效能並豐富使用經驗

    DDR400記憶體將搭配支援雙通道、FSB800Mhz及AGP8X技術的晶片組,提昇PC效能並豐富使用經驗 2003/02/20 華邦電子推出符合英特爾規格256Mb DDR400 SDRAM顆粒,並將於第二季起大量交貨。它可搭配支援雙通道、FSB800Mhz及 AGP8X技術的新款Intel865晶片組。DDR400資料傳輸頻寬最高可達3.2GB/s,可將採用P4 CPU的系統整體效能發揮到極致,讓消費者能藉由PC享受更豐富的寬頻影音內容、遊戲、音樂、相片、以及電影等使用經驗。 華邦電子DRAM產品中心協理蘇源茂表 示:「 我們對率先推出英特爾規格DDR400記憶體感到相當驕傲 。一直以來,...

  • W972GG6KB protect verilog model for Winbond official website

  • W978HxK verilog model for Winbond official website

  • W71NW10GE3FW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GF3FW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • W71NW11GE1EW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 產品特點 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GF1EW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 產品特點 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...

  • W71NW20GF3FW

    2Gb NAND + 1Gb LPDDR2 產品特點 W29N02GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 2Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 2G-bit/256M-byte Page size 2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • 利基型動態隨機存取記憶體 - 雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體-第三代

    DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的頻寬並廣泛用於汽車,工業,電視,機上盒,網路設備,電腦,BD播放器等。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們

  • 利基型動態隨機存取記憶體 - 雙倍資料傳輸速率同步動態隨機存取記憶體-第二代

    DDR2 SDRAM以更高的時脈速度提供比DDR SDRAM更大的頻寬。在汽車,網路設備,工業,電腦和消費電子產品中廣泛使用。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們

  • 行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第二代

    華邦LPDDR2 SDRAM(低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體(第二代))產品系列的設計特定的功能以降低功耗,包括部分區域陣列自我刷新(PASR),自動溫度補償自我刷新(ATCSR),省電模式,深度睡眠省電模式,和可程式化的驅動輸出。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們

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