(台北讯)>台湾第一大自有品牌半导体制造公司─华邦电子股份有限公司今日对外宣布与日本半导体大厂东芝株式会社(Toshiba)签署共同技术开发协议。根据协议，双方将共同开发新一代 0.13微米沟槽式(trench)的动态内存(DRAM)技术，并应用于生产512M DRAM的高阶产品。这项合作计划是自1995年12月华邦与东芝签订0.35微米之DRAM技术移转合约后，双方第一次以「共同合作开发」结盟，此举不仅显示华邦在DRAM生产技术的实力与世界大厂并驾齐驱，亦揭示华邦联盟全球菁英以快速跃升竞争力的布局与雄心。
基于市场演变而产生的技术需求，以及在合作上互惠互利的关系，华邦与东芝双方将合力开发新一代更高容量的DRAM产品，将制程推升至0.13微米。华邦电子DRAM产品事业群执行副总丘光一表示：国际策略联盟是DRAM产业发展必行之路，华邦近几年来与东芝已建立了良好的合作模式，彼此保持技术与产能支持的互惠的关系，从1995年起的0.35微米技术移转合作，成功的历经三个世代的制程。如今协议共同开发第四代 0.13微米制程的技术结盟，证明华邦多年来在DRAM领域中的努力已建立起优异的开发制造能力，其精进的制程技术与研发水准深获东芝认同。去年底更成功产出全台第一颗、全球第四颗0.175微米制程的256M DRAM，使华邦 DRAM技术跻身于世界级大厂之林。未来双方在技术、资金、人力与智权等丰富资源的整合下，将使DRAM制程技术提升至更新的格局。
这项研发工作地点均在日本东芝的DRAM制造中心，研发团队则由这两家公司分别派高手组成，目的在使两公司日后都有能力在各自的工厂实际生产。华邦预计此项开发之产品将于2001年第4季在该公司四、五厂生产，产品种类以512M高阶DRAM为主。另外，双方未来亦将运用此项先进的制程技术于非DRAM产品的设计、开发与制造。
华邦系以领先的超大规模集成电路产品设计、制造技术为基础，生产销售高品质和具有特色的自有产品，成为拥有自主性技术和丰富产品解决方案的世界级半导体企业，未来将持续与国际性公司进行策略联盟合作，以打造华邦在全球集成电路及相关领域的竞争力。
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