华邦电子股份有限公司于今日(二月六日)上午召开董事会，董事会相当肯定詹东义先生过去在华邦任职期间戮力拓展公司业务，以及对协助公司营运成长有相当显著的贡献，因此通过回聘詹东义先生担任总经理乙职，此项任命案预计将于2月9日起正式生效。现任副董事长兼总经理章青驹先生，于免兼总经理职务后则专任该公司之副董事长兼副执行长，襄助执行长擘划相关之公司营运策略。
詹东义先生为美国加州大学柏克莱分校电机硕士及博士，同时为美国史丹佛大学管理硕士；在加入华邦之前，詹东义先生曾于美国Intel、Cypress、Siliconix等公司服务多年，在产品技术开发的领域上经验丰富；自1995年至2000年于华邦任职期间，曾经先后担任华邦美国子公司研发处长、非挥发性内存(NVM)产品中心协理、及华邦美国子公司总经理等职务，主要肩负华邦NOR型闪存产品线开展之重责，詹东义先生建立并带领NVM团队，从研发技术扎根、营销业务开发、到成功将产品导入市场，对华邦公司在闪存市场的营运成长，有相当显著之贡献；2000至2005年转而出任华邦总公司技术副总监和销售业务副总经理等职务，持续协助公司开展产品及销售市场不遗余力；尔后于2005年10月请辞，转战上海担任BCD Semiconductor执行长一职。
华邦表示，经过十余年来的努力，华邦已在闪存领域占有重要一席之地，未来仍将要继续借重詹东义先生在产品技术和业务营销领域之专才，进一步增强华邦在NOR Flash领域的核心战斗力，詹东义先生其跨足DRAM和NOR Flash二大领域的营运管理经验，对目标全力以赴的领导风格和宏观的国际视野，将持续提升华邦作为领导地位的Specialty DRAM和NOR Flash供货商，为公司营运成长开创另一番崭新契机。
华邦电子以专业的记忆IC公司为定位，且将经营资源集中于有竞争力的市场。在DRAM领域方面，65奈米Buried Wordline DRAM制程技术已成功移转并进入量产阶段，未来公司将利用该技术发展低耗电行动内存，同时致力缩短生产周期，降低生产成本，实时掌握市场变化，以满足客户导向的应用需求，维持最佳竞争优势；在NOR Flash领域，不论是在Parallel Flash或是Serial Flash皆有完整布局，目前90奈米制程技术已成功开发并于第一季导入十二吋厂试产，将可提供计算机、消费性和通讯领域客户更完整及具价格竞争力的储存解决方案。
公司发言人
温万寿
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