(新竹讯) 华邦电子股份有限公司对外宣布该公司日前已经成功地完成以0.13微米技术应用在512M双倍资料速率(DDR)动态随机存取内存的基础制程(base line)，且预期从2002年第一季开始提供客户产品样本，2002年第二季起将逐步进行量产。目前以该项开发制程在试产阶段的产品良率表现非常好。
华邦公司表示，华邦派驻在日本和日本东芝株式会社(Toshiba)共同研发0.13微米沟槽技术的团队在九月底返国后，随即在华邦的八吋晶圆厂里自行建立0.13微米制程技术，经华邦技术团队自行调校制程处方，在既有的设备及制程经验基础上以512M SDR/DDR产品验证成功。该项制程在DDR的技术开发上系目前国内最为领先的技术，在预期明年DDR产品将会成为市场的主流情况下，华邦的生产成本可更降低，产品可支持更高速率的总线(Bus)。512M也是国内最高的内存密度。
在DRAM的技术开发上，从目前的0.175微米提升至0.13微米是制程上的较大突破障碍；从0.175微米至0.13微米, 每片晶圆产出的颗粒数增加百分之八十。
目前华邦在DDR上系以256M之DRAM为主，占华邦总体DRAM晶圆产出约30%，明年第一季将提升至70%；华邦除了积极布局闪存Flash和类静态内存Pseudo SRAM外，对于DRAM则逐步转向以特殊用途之DRAM产品为主。
如有任何问题，请至:联络我们