DDR3 SDRAMのロードマップ、生産能力、カスタマーサポートを強化し、業界で高まる超高速性能の需要に応える
台湾台中市– 2022-04-20 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、超高速性能DDR3製品の強化を発表しました。
ウィンボンドの1.35V DDR3製品は、x8およびx16の両構成で2133Mbpsのデータレートをサポートし、1.5V DDR3と100%の互換性を持っています。ウィンボンドのDRAMロードマップは現在、AIアクセラレータ、IoT、車載、産業、通信、WiFi-6、WiFi-6e、xDSL、光ファイバーネットワーク、スマートテレビ、セットトップボックス、IPカメラなど、4Gビット以下の容量のDRAM製品を必要とするアプリケーション向けに、1Gビット～4GビットのDDR3, 128Mビット～2Gビットの DDR2, 512Mビット～2GビットのLPDDR2、さらにLPDDR4x、LPDDR3、LPDDR、SDRAMインターフェイスをサポートしています。また、ウィンボンドは、2022年第4四半期に、より高度な製造技術を提供する台湾・高雄の新工場において、新たなウエハ生産能力を拡大します。現在、ウィンボンドのDDR3出荷量はDRAM総売上高の30%を占めており、2024年には50%に増加する見込みです。
「ウィンボンドはこれまで10年の間、DDR3 SDRAM製品を提供しており、今後も10年以上にわたって優れた顧客サポートと品質にて本製品を提供し続けます。なぜなら、我々のお客さまはDDR3 SDRAM製品を必要とし続けており、この実績あるレガシーを継続し、お客さまの長寿命化要求に確実に応えることが我々の使命だと考えているからです」とウィンボンドは述べています。
ウィンボンドのDDR3製品の詳細については、https://www.winbond.com/hq/product/specialty-dram/ddr3-sdram/?__locale=jaをご参照ください。
ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージフラッシュメモリ、およびTrustME(R)セキュアフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。
稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および2022年量産開始予定の高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。
ウィンボンドは、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社の登録商標です。ここに記載されているその他すべての商標および著作権は、それぞれの所有者の財産です。
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ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
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DRAMグループ 統括部長代理
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