華邦電子於本次 IIC 2007 展中推出目前市場上最大容量的 Pseudo SRAM ， W968D6B 產品重要諸元:
- W96 系列 Pseudo SRAM
- 符合 CellularRAM 1.5G 標準
- 容量 256 Mb (16M x 16)
- 低工作電壓 / 輸出入電 壓︰ 1.8V
- 頻率高達 133MHz
Pseudo SRAM 已成主流：
因手機的功能日異月新，新的功能陸續的推出，如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載 … ，使得手機的記憶體中的 RAM buffer 需要量大增。並且記憶體容量須求的提昇，促使 Pseudo SRAM 成為資料暫存部份，不可或缺的記憶體，近年來更是徹底取代傳統 6T SRAM 在手機上的地位。
Pseudo SRAM 具有大記憶體容量、低成本、 高的時脈速度、低功率消耗的優點。在許多通信應用領域，現在需要成本更低、容量更大的低功率記憶體。而未來的 Pseudo SRAM 產品將會以更具吸引力的價格，提供更大容量和更低功率，滿足這些市場的需求。
低成本 (Cost over Mb) ：
Pseudo SRAM 是由 DRAM macro core + SRAM Interface 之架構所組成。 DRAM macro core 是採取傳統 DRAM 為核心， memory cell 由 1 Transistor + 1 Capacitor 所組成； SRAM Interface 則設計與傳統 SRAM 特性相容的架構。 Pseudo SRAM 設計了一個 on-chip refresh circuit ，外接的介面則採用 SRAM 的介面，以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。在製程上 Pseudo SRAM 可以使用現有的 DRAM 的製程，記憶体的大小已可縮小至 110 nm 及 90 nm 的製程，大幅降低 Pseudo SRAM 的成本，低成本 (Cost over Mb) 已成為 Pseudo SRAM 的最主要的利器。
Pseudo SRAM 具有下列的特色：
- 大的記憶體容量 ( 16 Mb ~ 256 Mb)
- 高的時脈速度 (133 MHz)
- 較小的 Die size (1T Cell)
- 較低的 Power consumption
- 相容於 DRAM 的製程
- On-chip refreshing circuit 針對 DRAM 記憶体中的電容器需要被週期性地充電以保持資料完整 , 降低使用者在設計上的困擾 。
業界標準：
Pseudo SRAM 在現行市場中有三個標準，除韓國三星電子自有標準及日系廠商採用 COSMO 外，市場上最風行為 CellularRAM 聯盟的 CRAM 1.0G/1.5G/2.0G. 華邦電子 Pseudo SRAM 產品規格含蓋 COSMO 及 CRAM ，產品線完整。 ( 華邦電子現為 CellularRAM 成員之一。 )
關於華邦
華邦電子於 1987 年創立於新竹科學園區，擁有優良的產品設計、技術研發、晶圓製造、行銷及銷售的能力，為一 IC 產品解決方案之世界級領導公司。
華邦以兩大產品事業群為核心。
- 邏輯產品事業群 ----- 專注於以微控制器為主的消費性產品及電腦邏輯產品兩大領域。
- 記憶體產品事業群 - - 掌握行動記憶體與快閃記憶體關鍵技術，主要產品包括低功率動態隨機存取記憶體、利基型動態隨機存取記憶體、虛擬靜態隨機存取記憶體、標準型記憶體以及低密度快閃記憶體等。
華邦擁有一座十二吋晶圓廠、二座八吋晶圓廠及一座六吋晶圓廠，在全球擁有超過五千名員工，取得各國專利超過二千五百件，在中國、美國、日本及以色列等地均設有子公司。
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產品連絡人：
陳盛福
行動記憶體產品行銷企劃處
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