華邦電子開發的記憶體具有低功耗特性，不僅支援智慧型手機和平板電腦，也可廣泛應用於可攜式多媒體播放器、穿戴式裝置、車用電子、消費性電子產品、遊戲設備等各類行動電子產品與通訊設備。
華邦電子的 LPDDR/LPSDR 系列裝置支援 x16 和 x32 數據頻寬，並具備多項關鍵特性，包括：順序或交錯突發（Sequential or Interleave burst）、高頻率時脈（High Clock rate）、標準自動刷新（Standard Self Refresh）、部分陣列自我刷新（Partial-Array Self Refresh，PASR）、自動溫度補償自我刷新速率（Automatic Temperature Compensated Self Refresh Rate，ATCSR）、深度睡眠模式（Deep Power-Down，DPD）以及可程式化輸出驅動強度（Programmable output buffer driver strength）。
這些功能可確保在高效能的同時，進一步提升行動裝置的省電效率與運作穩定度，滿足市場對續航力與效能的雙重需求。
低功耗單存取同步動態隨機存取記憶體
現代 IoT 裝置除了需要超高速數據處理外，還需要長效電池續航力。低功耗同步動態隨機存取記憶體（Low Power SDRAM）整合節能技術，可有效降低運行耗能，延長裝置運行時間。
華邦電子的 LPSDR SDRAM 系列專為降低功耗而設計，具備多項節能功能，包括部分陣列自刷新（PASR）、自動溫度補償自刷新（ATCSR）、節能模式、深度睡眠模式，以及可程式化輸出驅動強度。
低功耗 SDRAM 在閒置與運行期間均可有效節電，特別適合移動設備及 IoT 裝置，能依據處理需求調整耗能，大幅延長電池壽命並提升能源效率。華邦電子提供多種容量與配置，為各類移動應用提供最佳解決方案。
低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體
Low Power DDR SDRAM (LPDDR) 是專為高效能與低能耗設計的同步動態隨機存取記憶體，適用於需要延長電池壽命的智慧裝置與 IoT 應用。它具備在時脈訊號上升與下降沿處理數據的能力，並結合多種節能技術，如部分陣列自刷新（PASR）、自動溫度補償自刷新（ATCSR）、深度睡眠模式與節能模式，有效降低整體功耗。其 PASR 技術只刷新關鍵資料，提升運行效率，而深度省電模式則進一步延長裝置電池壽命。華邦的LPDDR SDRAM 解決方案為現代智慧裝置提供卓越的能源效率與效能平衡。
低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第二代
華邦電子的Low Power DDR2 SDRAM（LPDDR2）系列結合多項節能技術，包括部分陣列自刷新（PASR）、自動溫度補償自刷新（ATCSR）、節能模式、深度睡眠模式及可程式化驅動強度。
LPDDR2 SDRAM 透過雙倍數據率（DDR）技術，在時脈訊號的上升與下降沿傳輸數據，實現高效能且低能耗的運行。與 LPDDR 相比，LPDDR2 提供更快的數據傳輸速度與更大的記憶體容量選項，特別適合對電池續航要求高的移動裝置與 IoT 應用。
低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第三代
隨著 IoT 功能需求不斷增長，移動裝置開發者尋求更小、更快的記憶體解決方案。華邦電子的Low Power DDR3 SDRAM（LPDDR3）系列提供多項節能功能，包括部分陣列自刷新（PASR）、自動溫度補償自刷新（ATCSR）、深度睡眠模式和可程式化驅動強度。LPDDR3 具備高頻寬資料傳輸、最佳化電壓範圍及快速喚醒時間，能平衡性能與電池壽命。
與 LPDDR2 相比，LPDDR3 的資料傳輸速度可達 1600~1866Mbps，效能大幅提升，且功耗更低。它的節能特性如低電壓設定及深度省電模式，有助於延長裝置電池續航力。華邦 LPDDR3 記憶體廣泛應用於 AIoT 與超高解析度顯示等領域，為嵌入式系統提供高效、低功耗的記憶體解決方案。
低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第四代 (4/4X)
現代智慧裝置如智慧手機、車輛、穿戴設備及 IoT 設備，越來越多採用邊緣 AI 技術來提升效能。華邦電子的Low Power DDR4 SDRAM（LPDDR4）及其改良版 Low Power DDR4X (LPDDR4X)，提供從 3200MT/s 到 4266MT/s 的高速資料傳輸率，同時具備最佳化的低電壓範圍，顯著提升性能並降低能耗。
LPDDR4X 記憶體憑藉高效能與低功耗特性，特別適用於小型化且需要高速處理的 AIoT 應用，例如智慧音箱、先進駕駛輔助系統（ADAS）、5G 手機、監控系統及智慧 8K 電視等。華邦提供多種封裝選項如 KGD 和 100BGA，縮小 PCB 尺寸，滿足現代裝置的高效設計需求，成為 AI 裝置記憶體解決方案的最佳選擇。
