Pseudo SRAM
Pseudo-Static RAM（PSRAM）は、Dynamic RAM（DRAM）とStatic RAM（SRAM）の利点を併せ持つものです。内部リフレッシュ回路を統合することで、PSRAMは外部データのリフレッシュ操作を不要にし、従来のSRAMと比較して、より大きなメモリ容量、より高速なアクセス速度、より小さなチップサイズを実現します。これにより、PSRAMは、効率的でコンパクトなメモリソリューションを必要とするIoTウェアラブル機器、携帯型スマートデバイス、低消費電力アプリケーションでの使用に最適です。
ウィンボンドは、特にウェアラブルIoTデバイス向けに最適化された高度なPSRAMソリューションを提供しており、その特長は以下の通りです。
- メモリ容量：64Mビット～
- 動作電圧：1.7V～1.9V
- メモリ構成：x16
- クロック速度：133MHz（70nsランダムアクセス時間）
- ディープパワーダウン・スリープモードによりバッテリー寿命を大幅に延長
- パーシャルアレイセルフリフレッシュ機能やドライブ強度調整機能（½および¼）により、全体的な消費電力をさらに削減
- 柔軟なアドレス/データ多重化（ADM）またはパラレル（ADP）インターフェースにより、回路設計を簡素化し、ピン数を削減
ウィンボンドのPSRAMチップは、性能、エネルギー効率、コンパクトさの完璧なバランスを提供し、最新のウェアラブル技術やIoTイノベーションに最適です。
HYPERRAM™
ウィンボンドのHYPERRAM™は、IoTやコンシューマ機器、車載、産業機器において従来のpseudo-SRAMに代わるコンパクトな代替品を提供します。2021年に量産開始されたHYPERRAM™は、ウィンボンドの25nmプロセスによって製造され、容量は256Mビットおよび512Mビットにて提供可能です。 パッケージは24BGA、WLCSP、KGDをサポートしています。
超低消費電力：
ウィンボンドのハイブリッドスリープモード（HSM）により、スタンバイ時の消費電力は35μWと低く、動作時の消費電力は同等のpSRAM製品の半分以下です。
シンプルなデザイン：
HYPERRAM™デバイスは、pSRAMの31本の信号ピンに対し、わずか13本の信号ピンを使用します。これにより、基板レイアウトの設計と製造がよりシンプルになります。
省スペース：
少ピンカウントパッケージとホストコントローラへの接続数の削減により、メモリシステムの基板占有面積が縮小し、スマートウォッチなどの民生機器の省スペース化に貢献します。
