PSRAM

虚拟静态随机存取内存

PSRAM（伪静态随机存取存储器）整合了DRAM的大容量与SRAM的高速性能，内置刷新电路，无需外部刷新操作，非常适合作为IoT及穿戴设备的主存储器。华邦电子专为IoT穿戴设备推出小尺寸、低功耗的PSRAM解决方案，具备：

• 容量：64 Mb
• 工作电压：1.7V~1.9V
• 存储器结构：x16
• 时钟速率：133 MHz
• 随机存取时间：70 ns
• 深度睡眠模式与部分阵列自我刷新功能，显著延长电池寿命
• 可调整驱动强度（½或¼），进一步降低功耗

HYPERRAM™

相较传统的pseudo SRAM，华邦HYPERRAM™为物联网、消费设备、汽车和工业应用提供了更简洁的内存解决方案。2021年量产的HYPERRAM™产品采用华邦25nm制成生产，其容量可扩展至256Mb和512Mb。封装型态包含了24BGA, 49BGA, WLCSP和KGD。

HYPERRAM™有以下特性：

• 超低功耗：华邦的混合睡眠模式（HSM）可使设备待机功耗降低至35μW，而运行功率不到pSRAM产品的一半。
• 设计简易：与pSRAM拥有31个信号引脚数相比，HYPERRAM™仅有13个信号引脚数，这极大简化了产品设计和生产的过程。
• 节省空间：低引脚数的封装与较少的主机控制器接口能够减少内存系统电路板的占用空间，使其更适用于小型消费电子设备。同时，HYPERRAM™ 提供WLCSP（晶圆级芯片封装），可广泛应用于IoT 模组及可穿戴设备，进一步提升空间利用率。