PSRAM

虛擬靜態隨機存取記憶體

PSRAM（偽靜態隨機存取記憶體）結合了DRAM的高容量與SRAM的高速效能，內建刷新電路，無需外部刷新，適合IoT與穿戴設備作為主記憶體使用。華邦電子提供專為IoT穿戴裝置打造的小尺寸、低功耗PSRAM方案，具備：

• 容量：64 Mb
• 操作電壓：1.7V~1.9V
• 記憶體結構：x16
• 時脈速率：133 MHz
• 隨機存取時間：70 ns
• 深度睡眠模式與部分陣列自我刷新功能，有效延長電池壽命
• 可調整驅動強度（½ 或 ¼）以進一步降低功耗

HYPERRAM™

相較傳統的pseudo SRAM，華邦HYPERRAM™為物聯網、消費設備、汽車和工業應用提供了更簡潔的記憶體解決方案。2021年量產的HYPERRAM™產品採用華邦25nm製成生產，其容量可擴展至256Mb和512Mb。封裝型態包含了24BGA, WLCSP和KGD。

HYPERRAM™有以下特性：

• 超低功耗：華邦的混合睡眠模式（HSM）可使設備待機功耗降低至35μW，而運行功率不到pSRAM產品的一半。
• 設計簡易：與pSRAM擁有31個訊號腳數相比，HYPERRAM™僅有13個訊號腳數，這極大簡化了產品設計和生產的過程。
• 節省空間：低腳數的封裝與較少的主機控制器介面能夠減少記憶體系統電路板的佔用空間，從而節省像是智慧手錶等消費類設備的空間。