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Low Power DDR4/4X SDRAM

スマートフォン、スマートカー、ウェアラブルなど、いくつかのIoTデバイスは現在、エッジAIを搭載することによりAI処理のプロセスを最適化しています。これらのデバイスでは、最適なパフォーマンスを発揮するために、超高速データ処理メモリが必要です。ウィンボンドの低容量Low Power DDR4X SDRAM(LPDDR4X)シリーズは、このようなデバイスに最適な低容量メモリです。 

LPDDR4とは?

LPDDR4 は、LPDDR3より少ない消費電力で、クロック周波数を変更することなく、より広い帯域幅を実現します。

LPDDR4には、JEDEC定義LPDDR4X(VDDQ電圧0.6V)とLPDDR4(VDDQ電圧1.1V)の2つのシリーズがあります。LPDDR4Xは、LPDDR4よりも低いIO電圧でバスを駆動するため、低消費電力が要求される次世代アプリケーション向けに最適なシリーズです。

データ転送速度は、3200MT/s、3733MT/s、4266MT/sに対応します。Known Good Die(KGD)、200ボールBGAにてご提供可能です。

ウィンボンド のLPDDR4X: ユニークな低容量メモリ

小型化や、新しいAIを搭載した技術が常に進歩する中、オンボードのメモリシステムは、低消費電力かつ高速データ処理を実現することが重要です。

多くの場合、エッジデバイスでのAI処理には1Gビット以下のメモリ容量で十分であり、一方で低消費電力と省スペース化が要求されます。

ウィンボンドのLPDDR4Xはこれらの要求を満たし、特に次のような新しいアプリケーションにエッジAI機能を搭載するのに最適です。

 

注: KGD に関するご要望は、テクニカルサポートまでお問い合わせください

Density

Part No. Voltage Speed Temp. Organization Status Industrial & Commercial Datasheet
Automotive Industrial & Commercial
W66CQ2NQU 1.8V / 1.1V/0.6V 3200/3733/4267Mbps -40°C~105°C 128Mbit x32 x 2 ch P MP pdf
W66CP2NQU 1.8V / 1.1V/1.1V 3200/3733/4267Mbps -40°C~105°C 128Mbit x32 x 2 ch P MP pdf
W66CQ2NQQ 1.8V / 1.1V/0.6V 3200/3733/4267Mbps -40°C~105°C 128Mbit x32 x 2 ch - MP pdf
W66CP2NQQ 1.8V / 1.1V/1.1V 3200/3733/4267Mbps -40°C~105°C 128Mbit x32 x 2 ch - MP pdf
ステイタス1:P=製造中 S=サンプル UD=開発中 N=新規デザインに推奨しない。
ステイタス2:全てのウィンボンド製品は、ハロゲンフリー、RoHS指令に基づいたパッケージングです。詳細や仕様に関しては、データシートをご参照ください。

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