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  • ウィンボンド、超低電圧フラッシュメモリを発表

    小型の8ピンパッケージを特長とする新しい1.2V及び 1.5Vデバイス SAN JOSE, Calif., and TAICHUNG, Taiwan – July 14, 2017 – 半導体メモリソリューションの大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは、この度、低電圧のSpiFlash®メモリを発表し、フラッシュ製品ポートフォリオを拡大いたしました。この新しいSpiFlashファミリは、NORフラッシュ業界最低電圧レベルである1.2V及び1.5V、8ピン小型パッケージで低消費電力を必要とするオーディオ、ウェアラブル、IoT、及び、様々な条件を要求するアプリケーションに向けたシリ...

  • ウィンボンド electronica 2018カンファレンスにて新世代の超低消費電力モバイルDRAMソリューションを発表

    ウィンボンド・エレクトロニクスは今年11月にドイツで開催されるelectronica 2018で新世代の超低電力(ULP/Ultra low power)DRAMを発表する予定です。本製品は超低消費電力で高性能なため、ウェアラブルおよびポータブルデバイスや、IoTアプリケーションに適しています。 W948V6KBHXは最新のディープセルフリフレッシュ(DSR)テクノロジを搭載したウィンボンド社が初めて発表する製品です。256Mバイトの容量で、JEDEC規格のLPDDRと互換性があります。従来のモバイル機器のメモリと比べ、DSRテクノロジはスタンバイ電力消費量が40%低減され、バッテリ寿命を大幅...

  • ウィンボンド・エレクトロニクス、HyperRAM™市場に参入-AIoTアプリケーションのニーズに対応

    台湾新竹-2019年10月30日--車載用電子機器、インダストリアル4.0、スマートホームアプリケーションの急速な増加に伴い、新しいIoTエッジデバイスやヒューマンマシンインターフェイスデバイスには、サイズ、消費電力、パフォーマンス面で新しい機能が必要になってきました。MCUサプライヤはそれぞれ、市場のニーズを満たすために、より高性能で低消費電力の新世代MCUを開発しています。 さらに、総合的なシステムデザインの観点から、それら新世代MCUで動作するRAMにも、既存のSDRAMやpSRAMよりも優れたパフォーマンスを提供する新しいオプションが必要です。 HyperBus®インターフェイスをサポ...

  • フラッシュメモリ - 1.2V シリアル NOR

    W25QxxNDシリーズの1.2V品は、一般的な3Vおよび1.8Vファミリのシリアルフラッシュと同等の性能にて、消費電力を節約できます。これらは、スペースの限られたバッテリ駆動アプリでも使いやすい2mm×3mmのUSON8、150milのSOP8, 6x5mmのWSON 8ピンパッケージ、KGDにて提供可能で、小パッケージで低消費電力が求められるモバイル、ウェアラブル、IoTなどの厳しい要求に対応します。 1.2Vシリーズ製品は節電目的のために使われていますが、1.5V拡張品は、2個のバッテリを直列に使用して3V設計を提供する同様のソリューションに比べて、1個のみ使用することでバッテリコストを...

  • 低電力化の将来に向けて: 低電圧メモリICの有効な活用法

    今日の産業機器及び民生機器の基板回路における電源電圧は、広範囲に渡ります。最も一般的な電源電圧は5V、3V、2.5V、1.8V、更に低電圧なものも存在します。 異なるメーカーのデバイス間における互換性を確保し、ボードレベルの電源設計を複雑化させないために、半導体メーカーはこれらの標準電源電圧にて動作するよう製品を設計します。 これらは安定性と互換性ためですが、それに反する要求も種々あります。それは、モビリティです。 モバイルやウェアラブル機器の需要は増え続け、モバイル製品にとって、電池のサイズと重量は、いうのはデザインにおける最大の課題です。小型電池を用いることで製品の小型化につながり、また余...

  • HyperRAM™について知っておくべきこと - 代替メモリオプション

    1. HyperRAM™とは? HyperRAM™を知る前に、HyperBus™について理解する必要があります。HyperBus™テクノロジーは2014年サイプレス社によって最初に発表され、同社は「HyperBus™インターフェースは、パラレルおよびシリアルインターフェイスメモリのレガシー機能を利用しながら、システムパフォーマンスを向上させ、設計を容易に、そしてシステムコスト削減を実現する」とコメントしています。HyperRAM™は、HyperBus™インターフェースをサポートする新しい技術ソリューションです。第一世代は最大333Mバイト/秒のスループットを提供し、第二世代のHyperRAM™...

  • ウィンボンド・エレクトロニクスがNORフラッシュメモリの世界トップサプライヤに

    2019年の出荷数は31億個で2012年以降シリアルNORフラッシュメモリの売り上げNo.1を維持 (米国カリフォルニア州サンノゼ、台湾台中市 – 2020年5月19日)-- フラッシュメモリのグローバルサプライヤで、標準マルチI/Oのシリアルフラッシュアーキテクチャの先駆者でもあるウィンボンド・エレクトロニクスは本日、NORフラッシュメモリの世界トップサプライヤとなったことを発表しました。 WebFeet Research社による最近の市場データによると、ウィンボンド・エレクトロニクスは2019年、NORフラッシュメモリ市場における売上金額ベースでシェア22.8%、世界No.1のポジションを...

  • ウインボンド・エレクトロニクス, HyperRAM™をWLCSPで提供 - ウエアラブルデバイスの時代をリード

    WLCSP(ウエハーレベルチップスケールパッケージ)のHyperRAM™はフォームファクタの小型化、単純化を実現 (台湾台中 – 2020年6月10日)-- 半導体メモリソリューションのリーディングサプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は、組み込みアプリケーション向けでは過去に例の無い薄型フォームファクタを可能にするWLCSPパッケージをHyperRAM™に導入したことを発表しました。 HyperBus™テクノロジーは、2014年サイプレス社によって最初に発表された技術です。他のメモリのトランスミッションおよび制御インターフェースと比較して、HyperBus™はピン数が少ないこ...

  • A prominent leader in the semiconductor memory technology segment: Winbond

    One of the crucial elements in today’s electronics is semiconductor memory technology. Any equipment that makes use of a processor of any kind will have semiconductor technology in it. There is a significant need for semiconductor memories and there are various types of memory and number of technolo...

  • モバイルDRAM

    ウィンボンドは、コンシューマ、コンピュータ、通信及びその他電子製品に、半導体ソリューションを提供する有数のメーカーです。これまでに、IDD電流値の低いモバイルDRAMを開発していますが、現在はモバイル用DRAMメモリを、モバイルフォンやタブレットのみならず、一般消費者向けモバイル製品や通信の分野へと拡大しています。弊社のモバイルDRAMデバイスは、データ幅としてはx16とx32の両方をサポートしており、主な特長としては、シーケンシャルバーストあるいはインターリーブバースト、高いクロック速度、標準的なセルフリフレッシュ、パーシャル・アレイ・セルフリフレッシュ(PASR)、温度センサによるセルフリ...

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