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  • 华邦推出2Gb+2Gb NAND+LPDDR4x多芯片封装产品支持5G高速使用者终端设备

    新型W71NW20KK1KW MCP所采用的非挥发性闪存与高速动态随机存取内存,为5G终端设备应用提供其所需成本和存储容量之优化组合 (2019年6月 18 日台湾台中讯) –全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出新型1.8V 2Gb NAND Flash和2Gb LPDDR4x动态随机存取内存8.0mm x 9.5mmx 0.8mm的多芯片封装产品 (以下简称MCP) 。 新的W71NW20KK1KW产品将可靠的SLC NAND Flash以及高速、低功耗的LPDDR4x动态随机存取内存集成在一个单一封装中,完整提供使用于办公室与家庭的5G终端设备相关应用所需的存储容量。 一般而...

  • 华邦电子瞄准利基型市场,推出一系列行动内存LPDDR4X产品

    (2019年9月 12 日台湾台中讯) 在AI人工智能、超高分辨率显示、5G行动通讯与IoT等新科技的推波助澜之下,各式新兴应用应运而生。辅助驾驶系统 (ADAS)、智能音箱(Smart Speaker)、8K 电视、5G手机以及安全监控系统产品都已逐步进入我们的日常生活之中,这些应用往往需要更低功耗、更高带宽与更佳数据传输率的内存来提升整体的效能,以提供绝佳的使用者体验。 华邦电子长期深耕利基型内存市场,十分重视客户的需求以及新科技的发展趋势,针对上述各项的新兴应用已成功开发出新一代的低功耗动态随机存取内存 LPDDR4X 产品。首波产品采用华邦自行研发的25奈米内存制程,规格涵盖完整,包括...

  • W978HxK verilog model for Winbond official website

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  • W71NW10GC1DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GC3DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GE3FW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GF3FW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • W71NW11GC1DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GE1EW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GF1EW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...

  • W71NW11HC1DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01HW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size 2,112 bytes (2048 + 6...

  • W71NW20GD1DW

    2Gb NAND + 1Gb LPDDR1 产品特点 W29N02GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 2Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 2G-bit/256M-byte Page size 1,056 words (1024 + 32 w...

  • W71NW20GD3DW

    2Gb NAND + 1Gb LPDDR1 产品特点 W29N02GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 2Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 2G-bit/256M-byte Page size 2,112 bytes (2048 + 64 b...

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