首頁
产品搜索结果“ SLC ”, 0 项结果
  • 产品 (0)
未找到任何文件,如有更进一步需求,请造访技术支援页面
关键字搜索结果 “ SLC ”, 49项结果
  • 全部 (49)
  • 闪存 - SLC NAND Flash

    相容于业界通用标准的SLC NAND Flash 华邦提供了一系列从1Gb到8Gb且相容于业界标准的SLC NAND。在软、硬体控制与介面上,都跟市面上所有的SLC NAND一样。因此,使用者可以很轻易地在华邦这个产品系列中,找到自己合适的产品来替换使用。 具有竞争力优势及产品应用 华邦的SLC NAND可以被使用在任何支援NAND介面的平台上,也能让客户根据主控晶片上对ECC的要求来选择相对应1-bit ECC或4-bit ECC的SLC NAND,拥有更多更弹性的选择。华邦的SLC NAND被广泛的使用在IoT、车用、网路通讯、储存、机上盒、DSL、数位电视、手机、印表机、工控和其他众多的...

  • 华邦电子公布2014年第三季财报

    (新竹讯)华邦电子股份有限公司今 (24) 日公布 2014 年第三季合并财务报告,第三季合并营业收入含新唐科技等子公司约为新台币 99 亿 3 千 1 百万元,较前一季增加 2% ;营业毛利率为 28% ,税后纯益约为新台币 9 亿 6 千 2 百万元,每股纯益为新台币 0.25 元。 就内存事业群部份,2014年第三季利基型内存(Specialty DRAM)占总营收54%,营收季增10%,主要来自车用、工业用、电视、机顶盒等应用需求增加,以及KGD销售成长。行动内存(Mobile DRAM)占总营收11%,营收季减11%,主要系因产品机型转换的季节性影响,以及客户因应终端市场而调节订单。...

  • 华邦电子公布2014年第四季财报

    ( 新竹讯 ) 华邦电子股份有限公司今 (03) 日公布 2014 年第四季合并财务报表,第四季合并营业收入含新唐科技等子公司约为新台币 95 亿 6 千5 百万元,较前一季减少 4% ;营业毛利率为 31% ,税后纯益约为新台币 10 亿 6 千 7 百万元,每股纯益为新台币 0.28 元。累计 2014 年全年合并营收约为新台币 379 亿 9 千万元,税后纯益为新台币 32 亿 1 千 1 百万元。 就内存事业群部份,2014年第四季各产品线占营收比例,利基型内存(Specialty DRAM)占本季营收53%,营收较前一季减少3%,主要受季节性影响所致。行动内存(Mobile DRAM...

  • 华邦电子公布2016年下半年暨全年营运成果

    (新竹讯)华邦电子股份有限公司今(07)日公布2016年下半年暨全年营运表现,2016年累计七至十二月的合并营业收入含新唐科技等子公司约为新台币215亿8百万元,营业毛利率为28%,归属母公司净利为新台币14亿8千万元,每股纯益为新台币0.41元。累计2016年全年合并营收约为新台币420亿9千2百万元,归属母公司净利为新台币28亿9千8百万元,累计每股纯益为新台币0.81元。 内存事业群部份,2016年全年度各产品线占营收比例,利基型内存(Specialty DRAM)占全年度营收49%,营收较去年同期增加3%,因客户及产品组合改善,营收表现稳定成长。行动内存(Mobile DRAM)占全年...

  • 华邦电子推出新世代高质量NAND型闪存 – 高性价比的NOR型闪存替代方案

    (2018年2月27日纽伦堡, 德国/台湾台中讯) 华邦电子的高质量NAND型闪存为汽车系统制造商提供更高容量的编码型闪存解决方案-用以取代制程技术达微缩瓶颈的NOR型闪存。 全球半导体存储解决方案领导厂商-华邦电子,今日发布了新世代NAND型闪存系列产品,可提供容量达512Mb以上的高质量编码型闪存解决方案。 华邦电子新推出的车规级SLC(单层式)HQ(高质量)串行式NAND型闪存,为汽车系统制造商在日趋复杂的应用系统(如:自动驾驶系统)中提供高容量且低成本的编码储存解决方案。 华邦电子透过新的生产及测试流程解决常发生在传统NAND型闪存的位错误问题,使此编码储存方案成为更好的选择。不同于其...

  • 华邦电子推出业界最高速Serial NAND Flash

    全新的W25N01JW产品,是一款能在车用仪表板和车用显示器上,提供比SPI NOR更高速、更高容量且更高性价比的产品系列。 (2018年6月 5 日台湾台中讯) 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日发表了一款全新系列High Performance Serial NAND闪存。在Quad Serial Peripheral Interface(QSPI)下,传输速度可高达83MB/s。 运用Dual Chip的技术,更能将传输速度提升至166MB/s的境界。 因为读取速度比现有serial NAND产品快上四倍,再加上可存储容量高于SPI NOR,这款W25N01JW将可取代传统SPI...

  • 华邦电子公布2018年上半年营运成果

    (新竹讯)华邦电子股份有限公司今(27)日公布2018年上半年营运表现。2018年第二季合并营业收入含新唐科技等子公司为新台币134亿8千5百万元,营业毛利率为39%,归属母公司净利为新台币21亿5千5百万元,每股纯益为新台币0.54元。累计2018年上半年合并营收为新台币256亿4千1百万元,归属母公司净利为新台币37亿2千8百万元,每股纯益为新台币0.94元。 内存事业群部份,DRAM产品事业群含利基型内存及行动内存产品线占2018年第一季营收52%,营收季减0.6%;占第二季营收53%,营收季增9.2%。DRAM产品营收成长及位成长率增加主要来自于市场需求及制程提升,而38nm DRAM...

  • 华邦电子公布2018年第四季营运成果

    (新竹讯)华邦电子股份有限公司今(31)日公布自结2018年第四季营运表现。2018年第四季合并营业收入含新唐科技等子公司为新台币118亿6千8百万元,营业毛利率为34%,归属母公司净利为新台币8亿7千9百万元,每股纯益为新台币0.22元。累计2018年全年合并营收为新台币511亿9千万元,归属母公司净利为新台币74亿4千6百万元,每股纯益为新台币1.87元。 内存事业部份,DRAM产品事业含利基型内存及行动内存产品线占2018年第四季营收52%,营收季减17%。该产品线25奈米 2G DDR3 DRAM产品已于2018年第四季开始小量生产,逐步挹注营收表现。闪存产品线占第四季营收48%,营收...

  • W71NW10GC1DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GC3DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GE3FW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...

  • W71NW10GF3FW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...

  • W71NW11GC1DW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GE1EW

    1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...

  • W71NW11GF1EW

    1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 产品特点 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...

TOP

Copyright © Winbond All Rights Reserved.

本网站使用cookie作为与网站互动时识别浏览器之用,浏览本网站即表示您同意本网站对cookie的使用及相关隐私权政策
OK