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華邦電子推出低功率行動記憶體-Mobile Memory
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華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳(3/3-4 深圳會展中心)、上海(3/10-11 上海世貿商城),屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品-低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體,並推出一系列低功耗動態記憶體 512Mb Low Power DRAM。 低功率耗動態記憶體 近年來手機市場成長的主要動力,除了新一代 3G 傳輸標準之興起,行動商務化平台的運轉,及諸多影音多媒體技術的發展下,大大帶動了中高階機種換機潮的興起。手機的功能日異月新,新的功能陸續的推出,如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…等,使得手機的記憶體中的 RA...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-presents-low-power-mobile-memory.html?__locale=zh_TW
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華邦將於中國杭州電子信息博覽會展出低功耗行動記憶體-Mobile Memory
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華邦電子將於2007年9月5日至9月8日參加由台灣區電機電子工業同業公會(TEEMA),商務部外貿發展事務局及杭州市人民政府共同舉辦的中國杭州電子信息博覽會,於此會中將展出華邦兩大系列行動記憶體產品-低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體。 手機的功能日新月異,新的功能陸續的推出,如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…,使得手機的記憶體中的 RAM Buffer 需要量大增。為因應大量低功耗記憶體之需要,華邦推出兩大系列行動記憶體產品-低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體。 低功耗動態記憶體 近年來手機市場成長的主要動力,除了新一代 3G 傳輸標準之興起,行動商務化平台的運轉,及諸多影...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-launches-low-power-mobile-memory-in-2007-hongzhou-eif.html?__locale=zh_TW
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Ultra Low Power DRAM A “Green” Memory in IoT Devices
https://www.winbond.com/hq/support/online-learning/video-item/Ultra-Low-Power-DRAM-A-Green-Memory-in-IoT-Devices
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行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體
LPDDR SDRAM
華邦LPDDR SDRAM(低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體)產品系列的設計特定的功能以降低功耗,包括部分區域陣列自我刷新(PASR),自動溫度補償自我刷新(ATCSR),省電模式,深度睡眠省電模式,和可程式化的驅動輸出。 點擊並搜尋產品相關規格 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們
https://www.winbond.com/hq/hq/product/mobile-dram/low-power-ddr-sdram/index.html?__locale=zh_TW
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行動記憶體 - 低功耗單存取同步動態隨機存取記憶體
LPSDR SDRAM
華邦LPSDR SDRAM(低功耗單存取同步動態隨機存取記憶體)產品系列的設計特定的功能以降低功耗,包括部分區域陣列自我刷新(PASR),自動溫度補償自我刷新(ATCSR),省電模式,深度睡眠省電模式,和可程式化的驅動輸出。 點擊並搜尋產品相關規格 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們
https://www.winbond.com/hq/hq/product/mobile-dram/low-power-sdr-sdram/index.html?__locale=zh_TW
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行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第二代
LPDDR2 SDRAM
華邦LPDDR2 SDRAM(低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體(第二代))產品系列的設計特定的功能以降低功耗,包括部分區域陣列自我刷新(PASR),自動溫度補償自我刷新(ATCSR),省電模式,深度睡眠省電模式,和可程式化的驅動輸出。 點擊並搜尋產品相關規格 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們 LPDDR LPDDR2 Data Rate 333~400Mbps 800~1066Mbps Density 128Mb~1Gb 256Mb~2Gb Interface LVCMOS compatible HSUL_12 Number of Banks 4 4/8 Pre-fetch 2 4 ...
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華邦電子於2018 德國慕尼黑電子展推出新一代超低功耗行動記憶體解決方案
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(2018年11月13日慕尼黑, 德國/台灣台中訊) 華邦電子將於今年十一月在德國舉辦的 慕尼黑電子展(electronica) 會場中展出新一代超低功耗(Ultra Low Power)動態隨機存取記憶體產品,其具備極低待機功耗與高效能的特性,適合使用於穿戴式裝置 (Wearable & portable) 或 IoT相關應用上。 W948V6KBHX為搭載華邦電子推出最新深度自我刷新(Deep Self Refresh/DSR)技術之首顆產品,具有256Mb容量,並相容於JEDEC的LPDDR標準。深度自我刷新技術較於傳統同類型行動記憶體可節省約40%之待機功耗,大幅延長終端使用者體驗。 ...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-reveals-a-new-ultra-low-power-mobile-dram-at-2018-electronica.html?__locale=zh_TW
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行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第三代
LPDDR3 SDRAM
High bandwidth and cost advantages For 1Gb x32 LPDDR3, it’s the alternative solution for developing high B/W (8.52GB/s) around 0.3W. This move will help Winbond further expand its product portfolio to respond to the diverse AIoT and ultra-high-resolution display application needs. SEARCH FOR THE PRO...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/mobile-dram/low-power-ddr3-sdram/index.html?__locale=zh_TW
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行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體-第四代(4/4X)
LPDDR4/4X SDRAM
產品系列是根據 JESD209-4 工業標準設計。 點擊並搜尋產品相關規格 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們。
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華邦電子與Mobiveil合作開發HYPERRAM控制器, 不斷拓展超低功耗應用場景
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華邦 HYPERRAM™ 提供低功耗和低引腳數,可加快圖形處理速度、優化UI顯示更新 Mobiveil 的 HYPERRAM™ 控制器 IP 允許 SoC 設計人員更好地利用華邦基於 HYPERBUS™ 設計的HYPERRAM™ x8 / x16 - 250 MHz 記憶體 (2023-08-30臺灣台中訊)——全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子與快速增長的矽智慧財產權(SIP)、平臺與 IP 設計服務供應商 Mobiveil 今日宣佈,雙方將合作開發全新的 IP 控制器,將應用場景拓展至汽車、智慧 IoT、工業、可穿戴設備、TWS、智慧音箱和通訊等領域。 隨著智慧汽車、IoT、可穿戴設...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/2023_0830_winbond_mobiveil_collaborate_ultra-low_power_applications.html?__locale=zh_TW
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華邦推出256Mb之LowPower DRAM
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華邦電子針對行動裝置應用特性,推出一系列低功率動態記憶體 (Low Power DRAM) ,於本次 eMEX 2006 展中所展出即為一款容量 256Mb 之 Low Power DRAM , W988D6E / W988D2E 產品重要諸元, W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合 JEDEC 標準 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作電壓 / 輸出入電 壓︰ 1.8V 主頻率 133MHz LP SDR/DDR 將成主流: 近年來手機市場成長的主要...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-releases-256mb-low-power-dram-at-emex-2006.html?__locale=zh_TW
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華邦攜手Ambiq推出超低功耗解決方案,賦能智慧物聯網及可穿戴設備
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華邦 HyperRAM™ 兼具低功耗與低引腳數,可加速影像處理並優化UI顯示更新率 Ambiq Apollo4™ 超低功耗SoC專為應用處理器與電池供電的終端設備輔助處理器(coprocessor)而設計 (2021-05-25臺灣台中訊)——全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子今日宣佈其將與在超低功耗微控制器(MCU)、系統級晶片(SoC)和即時時鐘(RTC)領域公認的技術領導者Ambiq合作,結合華邦HyperRAM™ 和Ambiq Apollo4™ 的產品優勢,共同致力於為物聯網終端和可穿戴設備提供超低功耗系統解決方案。 目前,搭配Ambiq Apollo4 SoC和Winbond ...
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華邦電子推出低功率動態記憶體-256Mb之LowPower DRAM
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華邦電子針對行動裝置應用特性,推出一系列低功率動態記憶體 (Low Power DRAM) ,於本次 IIC 2007 展中所展出即為一款容量 256Mb 之 Low Power DRAM , W988D6E / W988D2E 產品重要諸元: W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合 JEDEC 標準 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作電壓 / 輸出入電 壓︰ 1.8V 主頻率 133MHz LP SDR/DDR 將成主流: 近年來手機市場成長的主要動...
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華邦專為穿戴裝置和低功耗物聯網設備 推出全新1.8V 1Gb QspiNAND 快閃記憶體
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(2024-08-07臺灣台中訊) –全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子今日宣佈推出一款全新的1.8V 1Gb QspiNAND 快閃記憶體 - W25N01KW,專為穿戴裝置和由電池供電的物聯網設備需求所設計,具有低待機功耗、連續讀取與小尺寸封裝的特色,實現快速啟動及支援即開即用等功能。 W25N01KW快閃記憶體具有高速讀取的性能,在連續讀取 (Continuous Read) 和序列讀取 (Sequential Read) 的模式下均能實現高達 52MB/秒 的讀取速度,達到快速啟動和即開即用的特性,並且提供深度待機 (Deep Power Down) 模式,將待機電流降低至 1µ...
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華邦電子在低電壓1.2V產品系列推出64Mb高容量SPI NOR快閃記憶體新產品
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在今年2018的慕尼黑電子展,華邦電子也推出了適用於車用的NOR快閃記憶體新產品以及用於高於工規溫度和高速的SPI NAND快閃記憶體。 (2018年11月13日慕尼黑, 德國/台灣台中訊) 領導全球半導體記憶體的廠商華邦電子今天宣布在SpiFlash® 記憶體產品的1.2V W25Q-ND系列,推出了省電的新產品能符合多種應用且有更高的儲存容量。 W25Q64ND 是64Mb的容量,將在明年2019上半年提供客戶樣品。容量128Mb的產品也正在開發中,預計在明年2019底可提供客戶樣品。目前華邦電子已提供8Mb的W25Q80ND 1.2V SpiFlash樣品供客戶測試。 此系列1.2V S...
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