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製品について
Pseudo
PSRAMとCRAMの違いは何ですか?

PSRAMはPseudo-SRAMです。CRAMはCellular-RAMです。CRAMは業界のさまざまなアプリケーション向けで最も人気の高いPSRAMです。

LPDDR
LPDDR1とLPDDRの違いは何ですか?

JEDEC規格による正式名称はLPDDR(Low Power Double Data Rate)です。
実際には、LPDDR1とLPDDRは同じです。

Psueudo SRAM(CRAM)と低電力DDRの違いは何ですか?

Pseudo SRAMは通常128Mb未満で166MHzより低速な、小容量かつ低スループットのアプリケーションをターゲットとしています(ほとんどの場合は133MHz用)。 それ以外の場合は、低電力DDRをご検討ください。

DRAM
モバイルとスペシャリティDRAMの違いは何ですか?

モバイルとスペシャリティDRAMの最も大きな違いは、モバイルDRAMが、特にスタンバイモードにおいて、省電力性を重視する点です。 セルによってパワーライズされている製品向けには、モバイルを推奨します。

DDR3
DDR3とDDR3Lの違いは何ですか?

DDR3はVDD = VDDQ = 1.5V±0.075Vで動作しています。
DDR3Lは電源= 1.35V(標準)VDD = VDDQ = 1.283V〜1.45Vで動作しています。 ウィンボンドのDDR3Lは、VDD = VDDQ = 1.5V±0.075Vと下位互換性があります。

NORフラッシュ
どのようなNOR製品がありますか?

512Kbから512Mbの容量帯のシリアルNORフラッシュを提供しています。

ウィンボンドのシリアルNORフラッシュはどんな特徴がありますか?

ウィンボンドは販売数や収益においてシリアルNORフラッシュ市場をリードしてきました。512Kbから512Mbまでの容量帯にてシリアルフラッシュを提供しています。これらの製品は、標準/デュアルおよびクワッドSPIにて利用可能です。より高いパフォーマンス用のQPIモードも同価格で提供しており、用途に合わせて使用するフレキシビリティをお客様に提供します。

シリアルNORフラッシュファミリの特徴は何ですか?

クワッドSPIパワーアップとSFDP(シリアルフラッシュ検出可能パラメータ)は、弊社が提供するIntel PCの要件です。 高速書き込み、プログラム/イレーズ、サスペンド/レジューム、WRAPバーストリード、揮発性ステータスレジスタ書き込み、コンプリメントアレイ保護は、携帯電話などのアプリケーションをサポートする機能です。 これに加え、セキュリティ強化のために、OTPアレイとレジスタ、ソフトウェアやハードウェアのリセット、プログラマブル出力ドライブ、および独立したブロックロック機能を提供しています。

シリアルフラッシュの新しい製品にはどのようなものがありますか?

旧世代の3Vおよび2.5V製品の代替品である1Mbから4Mbまでの低容量ファミリ・W25CLが現在量産中です。また、として1.8V 製品も 1Mbから8MbまでEWファミリとして現在量産中です。3V製品・JVファミリも16Mbから512Mbまで、1.8V製品はJWファミリとして16Mbから512Mbまで現在入手可能です。

 

シリアルフラッシュ製品のパッケージオプションについて?

シリアルフラッシュ製品はさまざまな小型パッケージにて提供されています。208MilのSOIC8は最大容量向けでコストパフォーマンスに優れています。次に150Mil SOICパッケージが続きます。スモールフォームファクタアプリケーション向けで最も普及しているのは、6x5㎜のWSON8や2x3㎜USON8です。8x6 mm BGAの製品は、ピンをプローブできないSTBのような安全なアプリケーション用で、256Mbや512Mbのような高容量品は8 x 6 mmのWSONまたは300MilのSOIC8パッケージで提供されます。 スペースに制約のあるアプリケーションには、業界最小パッケージのWLCSPや、KGD(Known Good Die)が人気です。

NANDフラッシュ
ONFI NANDとシリアルNANDのリードパフォーマンスの違いは何ですか?

理想的な条件においてのシリアルNANDのクワッドモードリードパフォーマンスは、ONFI NANDのバイトモードとほぼ同じレベルです。 さらに、ウィンボンドのシリアルNANDはONFI NANDの2倍のデータ転送速度である「コンティニュアスリードモード」をサポートします。 そのため、シリアルNANDのリードパフォーマンスは、ONFI NANDより優れています。

新しく開発した製品分野は何ですか?

NANDで新製品ファミリを開発しました。弊社のNORフラッシュ製品は最大512Mbですが、SLC NANDはこの容量をはるかに超えて、1Gb, 2Gb, 4Gbおよび8Gbとマイグレーションしていきます。シリアルNAND製品は同じSPIインターフェースを持つNOR製品の拡張となります。これら製品の多くはアプリケーションに応じて、コードに加えデータを格納するために使用されます。

NANDフラッシュとNORフラッシュの違いは何ですか?

NANDフラッシュは512Mb以上の容量のNORフラッシュに比べコストパフォーマンスが優れています。512Mb以上の大容量NANDフラッシュは従来、データ格納に使用されます。NORフラッシュは512Kbから512Mbの容量帯で、一般的にコード格納に使用されます。

技術面
DRAM
他社DRAMより置き換えたい場合注意すべき点は何ですか?

まず、双方の容量が同じかどうかを確認します。 その後、データシートの仕様をご確認ください。各ベンダーのデータ出力時間は若干異なる場合があります。他社DRAMから置き換えした後は、SoC構成でデータラッチ時間を微調整することをお勧めします。

Specialty DRAM
波形ポイントビューでDQが読み書きされていると判断するにはどうすればよいですか?

DQリードとDQSの波形関係はエッジアラインです。 DQライトとDQSの波形関係は中央揃えです。

DDR3
2Gb DDR3 DRAMを1Gbit DDR3 DRAMと同じレイアウトでドロップイン置換として使用できますか?

PCBレイアウトでA13をすでに予約しており、コントローラが2Gb DDR3 DRAMもサポートしている場合は、1Gb DDR3 DRAMを2Gb DDR3 DRAMに交換できます。 そして、ソフトウェア設定で2Gbデータシート定義として行/列アドレスを修正してください。

モバイルDRAM
非同期モードでクロック処理する方法は?

非同期モードでは、クロックをLOWに固定する必要があります。

LPDDR
LPDDRとDDRで、アプリケーションの違いはありますか?

省電力機能を備えたLPDDRは、主に携帯電話などのモバイルアプリケーションに使用されます。一般的に、モバイルアプリケーションはバッテリー駆動であり、電力消費は重要なポイントです。従来のDDRは主に通常アプリケーション向けです。

LPDDR2
LPDDR2とDDRで、アプリケーションの違いはありますか?

省電力機能を備えたLPDDR2は、主に携帯電話などのモバイルアプリケーションに使用されます。 一般的に、モバイルアプリケーションはバッテリー駆動であり、電力消費は重要なポイントです。 従来のDDR2は主に通常のアプリケーション向けです。

NANDフラッシュ
ホストは1ビットECC NANDで4ビットECCのアルゴリズムを使用できますか?

はい、1ビットECC NANDは、通常の操作において1エラービットしかないことを意味します。一般的に、NANDフラッシュの予備領域は少なくとも64バイトです。64バイトはファイルシステムから4ビットECCパリティとMETAデータを入れるのに十分な大きさです。したがって、ホストは4ビットECCアルゴリズムを使用し、4ビットECCパリティを1ビットECC NANDの64バイトの予備領域に配置可能です。

ウィンボンドのシリアルNANDはレガシーなSPIコントローラーからアクセスできますか?

はい、ウィンボンドのシリアルNANDはコンティニュアスリードモードを提供します。これはSPI-NORによって使用される主要な読み出しコマンドと下位互換性があります。 レガシープラットフォームはこのモードでシリアルNANDからブートコードを読み出してシステムを立ち上げることができます。

スペックの質問/製品の特長
DRAM
DRAMデバイスのスピード、I/Oピン、パッケージタイプをどのように決めればよいですか?

DRAMタイプの選択は、SOC内のすべてのIPの計算帯域幅によって異なります。 すべてのIPがコンピューティングを必要とする量を計算する必要があります(通常ビデオアプリケーションはほとんどの帯域幅を占めます)。 決定したら、32または16 IO(通常)と、必要なスループットを達成するために使用する動作周波数の速度を選択できます。 DRAMのパッケージタイプもアプリケーション次第です。 KGDまたはパッケージ(ボール数)が最も一般的です。

LPDDR
なぜDLLはLPDDR / LPDDR2を使わないのですか?

従来のDDRでは、DLL(Delay Lock Loop)が一般的に使用されています。 LPDDRの場合、DLLは不要で、省電力に役立ちます。

LPDDR1とLPDDR2のスピードの違いは?

LPDDR2は533MHz、LPDDRは200MHzです。

NANDフラッシュ
ONFIとは何ですか?

ONFI(Open NAND Flash Interface)は、NANDフラッシュメモリを構築、設計、または有効にする100社以上の企業で構成される業界ワークグループです。 これは、コンシューマエレクトロニクス製品、コンピューティングプラットフォーム、およびソリッドステートマスストレージを必要とするその他のアプリケーションへのNANDフラッシュの統合を簡素化することを目的としています。 NANDフラッシュのコネクタおよびモジュールのフォームファクタ仕様と同様に、標準化されたコンポーネントレベルのインタフェース仕様を定義します。

MLCとSLCは何ですか?

SLCはシングルレベルセル(Single Level Cell)を意味し、1ユニットのSLCは1ビットの情報(0/1)しか格納できません。 MLCはマルチレベルセル(Multi Level Cell)を意味します。 MLCユニットは、2ビットの情報(00/01/10/11)を格納することができます。 したがって、MLCフラッシュデバイスはより低価格でより大容量です。 SLCフラッシュデバイスは、パフォーマンスと信頼性がMLCより優れています。

バッドブロックとは何ですか?

バッドブロックは、最低限必要なECCによって訂正することができるよりも多くの不良ビットを有する少なくとも1つのページを含むものです。 ブロック0、ブロックアドレス00hは出荷時に有効なブロックであることが保証されています。 デバイスが工場から出荷される前に、それは消去され、無効なブロックはマークされます。 1ページ目または2ページ目のスペア領域の先頭バイトには、最初のすべての無効ブロックに非FFhのマークが付けられます。

NANDのスペア領域は?

各ページは、主データ記憶領域と予備データ領域とから構成されています。 通常、メイン領域はユーザーデータまたはコード格納用に使用され、スペア領域はエラー管理機能用に使用されます。

ウィンボンドは、パーマネントロック(セキュア)NANDの取り扱いはありますか?

はい、お取り扱いしております。弊社セールス部門または代理店に連絡し、製品注文情報を入手してください。

その他
全般
ウィンボンドのDRAM SPDコードはどのように入手できますか?

通常、SPDコードはDRAMモジュールに使用されますが、弊社SPDファイルが必要な場合は、お客様のSPDファイルを提供していただき、SPDコードをウィンボンド用に変更します。

消費電力、製品の基板レイアウト情報はどこで入手できますか?

FAEにお問い合わせください。

プロジェクトを開始に際して、ウィンボンドはどのような情報を提供してくれますか?

ウィンボンドは、豊富な経験を活かし、お客様のプロジェクト成功に向け尽力します。ぜひお気軽にお問い合わせください。

NANDフラッシュ
ウィンボンドのシリアルNANDはどのようなメリットがありますか?

第一に、システム性能を向上させるために52Mb/秒のデータ転送速度を提供します。 次に、8ピンの小型WSONパッケージにより、PCBのレイアウトとサイズが縮小されます。 第3に、SoCはまた、従来のパラレルNANDインターフェースを取り除くことによってメモリインターフェースを単純化し、ピン数を減らすことができます。 全体として、システムパフォーマンスが向上し、システムBOMコストが削減されます。

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