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华邦电子将于台北国际电子展览会展出两大系列行动内存产品-低功耗动态随机存取内存及虚拟静态随机存取内存

华邦电子即将参加 2008台北国际电子展览会(十月七日至十一日,台北世貿南港展覽館摊位: 4F M102),届时也将展出华邦两大系列行动内存产品-低功耗动态随机存取内存及虚拟静态随机存取内存。

低功耗动态随机存取内存  Mobile SDR/DDR SDRAM 
512Mb W949D6BZX/ W949D2BZX/ W989D2BZX, 1Gb W94AD2BZX

手持消费性电子产品的功能日异月新,新的功能陆续的推出,如 高画素照相手机、3G智能型手机、3D数字导航PND、电子书、数字电视 …等,加上欧盟 EuP指令的要求,使得电子产品中的低功耗内存 RAM Buffer需要量大增。为因应大量低功耗内存需要,华邦推出符合JEDEC标准 Mobile DRAM规格之产品,产品涵盖 512 Mb ~ 1Gb。

W949D2B和W949D6B的内存容量为 512Mb,W94AD2B的容量为1Gb,主要的产品规格为:DDRx32/x16两种数据传输频宽,工作电压 1.8V;提供的低功耗功能有Partial Array Self Refresh (PASR),Auto Temperature Compensated Refresh (ATCSR),Deep Power Down Mode。适合多种应用产品如掌上型数字电视播放机、可携式导航设备(PND)、智能型手机/PDA、无线网络摄影机(IP-cam)、MP3/MP4音乐播放机、电子书、掌上型游戏机,Wimax 设备、消费性电子等,目前已经成功导入全球各大ARM-9、ARM-11..平台 。

虚拟静态随机存取内存 PSRAM
32Mb W965A6F/ 64Mb W966A6C, 128Mb W967D6D/W957D6D, 256Mb W968D6B

Pseudo SRAM采取传统DRAM为核心;接口则设计与传统SRAM兼容的架构。另外Pseudo SRAM设计了一个on-chip refresh circuit来解决DRAM cell之Refresh,以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。产品完整含盖16Mb ~ 256Mb;本次所展出之256Mb PSRAM为现今市场上容量最大之PSRAM之 一 (符合CellularRAM 2.0G之标准);除领先同业之外,与主要系统供货商建立更进一步的合作关系。

关于华邦

华邦电子于1987年创立于新竹科学园区,1995年正式于台湾证券交易所挂牌上市,2008年10月总部迁至中部科学园区,以十二吋晶圆厂为主要之研发与生产基地,产品之制程技术涵盖范围90nm~65nm。

今日的华邦致力于内存产品的生产与设计,其中包含「DRAM产品事业群」、「记忆IC制造事业群」及「闪存IC事业群」三大领域,为维持与客户良好关系及强化地区性支持服务,华邦在美国、日本、香港等地均设有据点。更多信息请上华邦网站:www.winbond.com

Note: 
华邦为华邦电子之注册商标,至于其它在此曾提及的商标及版权则为其原有人所有。


产品联络人 :

刘汉兴
行动内存产品营销企划处
TEL: +886-3-5678168 # 6091
E-Mail: HHLiu2@winbond.com

新聞聯絡人 :

简恺立
业务作管部
TEL: +886-2-81777168 # 1338
Email: KLChien@winbond.com

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