PSRAM 指虚拟静态记忆体，CRAM 指行动虚拟静态记忆体。CRAM是多种虚拟静态记忆体规格中最广为业界普遍採用。
依JEDEC 标準，正式名称为LPDDR。依业界习惯LPDDR1 与 LPDDR 完全相同。
Pseudo SRAM使用目标为低容量与低带宽的市场应用，其通常小于128Mb与低于166MHz(大部分状况为133MHz)，如果您的应用大于这个数值，建议考虑LPDDR系列。
行动与利基型DRAM之间最大的差异就是行动DRAM强调具有省电的特质，特别在待机时。假如贵公司产品是由电池供电，我们建议优先使用行动DRAM。
DDR3 工作电压 : VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
DDR3L 工作电压: VDD = VDDQ = 1.283V to 1.45V. (1.35V 标准设置)
DDR3L 可完全含盖DDR3 工作电压
我们提供了从 512Kb 到 512Mb 的 Serial NOR Flash 产品以及 32Mb 到 512Mb 的 Parallel NOR Flash 产品。
华邦在SPI-NOR的销量与营收皆位于领先地位，我们提供了从512Kb到512Mb的产品，不仅可以支持标准的SPI接口，也支持了双I/O与四I/O的读取模式，以及更高效能的QPI模式，能够在具有竞争力的价格下提供客户在不同应用下更多的弹性。
华邦的Parallel NOR GL产品线由32Mb到256Mb符合工业级标准，客户可直接提换目前使用的Parallel NOR产品，无须对韧体或是软件进行修改。
Serial NOR Flash 支持了Intel在PC產品上所要求的Quad SPI與SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)，對於行動通訊產品與一般產品所需的 Fast write, Program/Erase Suspend/Resume, Burst with Wrap, Volatile status register write, complement array protection 也都支持，可透過軟體與硬體進行晶片重新啟動，並且有可調整的輸出驅動以及獨立區塊的保護機制。
W25-CL是已经量产稳定许久的产品线，提供了3V与2.5V、1Mb到4Mb的产品。W25-JV则是将取代W25-FV，由16Mb到512Mb。W25-EW是为了取代1.8V W25-BW的新产品线，包含了1Mb到8Mb的容量。在中高容量，W25-JW将会取代W25-FW。
华邦提供多样化的封装选项，其中208mil SOP8是最广泛使用的封装。此外，150mil SOP8，6x5 WSON8与2x3 USON8 以广泛使用在小尺寸的封装需求。对于机顶盒的安全需求，8x6 BGA24是一个合适的选项。在高容量的产品上，300mil SOP16是标准选项。另外多数产品也都支持晶圆级晶粒尺寸封装 (WLCSP)与KGD (Known Good Die)的选择。
在一般的理想状态下，Serial NAND在四个I/O下的数据传输率与ONFI NAND在八个I/O下的资料传数率相当。但是Winbond Serial NAND还支持了 "Continuous Read Mode". 在这个模式下，数据传输率约略是ONFI NAND的两倍，因此Serial NAND的读取速度是优于 ONFI NAND
我们正在开发新的NAND Flash 产品。我们提供512Mb以下的NOR Flash，在高于512Mb的容量需求，会推荐采用SLC NAND产品，其中包含了1Gb, 2Gb, 4Gb 到8Gb。由于Serial NAND也采用SPI接口，因此可以由SPI-NOR顺利的延伸使用。这些产品主要瞄准程序代码的储存，也同时提供用户数据的保存。
在512Mb 以上，NAND Flash产品在在成本上相较于NOR Flash产品有较佳的优势。NAND Flash一般在512Mb以上，主要用于数据储存。NOR Flash一般容量在512K到512Mb之间，用以程序代码储存。
替换不同 厂商DRAM 时 需注意:
1.确认容量相同
2.依各 厂商规格书要求设定
3.微调系统读取资料设定
在读的时候，DQ 和DQS 是边缘对齐。
在写的时候，DQ C和DQS 是中心对齐，也就是会有90度的相位差。
以2Gb DDR3 取代 1Gb DDR3 时，如 PCB 板已预留A13 则只需透过软件调整 row/column 设定即可，另外DRAM 参数设定也必须注意符合2Gb 的spec。
时鐘在非同步模式时应设定为低位準。
LPDDR 具特殊省电功能，主要应用於使用电池需考量省电的行动装置，如手机。 传统DDR则用於一般应用。
LPDDR2 具特殊省电功能，主要应用於使用电池需考量省电的行动装置，如手机。 传统DDR2则用於一般应用。
可以的，需要1bit ECC 纠错的NAND Flash 表示主控端至少需易运行1bit 纠错的算法。一般而言，NAND Flash至少有 64byte 的Spare Area。64Byte 的空间已经足够放置4bit ECC 纠错码以及其他文件系统所需的管理信息。所以如果主控端采用4bit ECC的纠错处理，其4bit ECC的纠错码放在 1bit ECC NAND 的 64Byte spare area 是没有问题的。
可以的，华邦的Serial NAND提供了Continuous Read 模式。在这个模式下，读取指令的协议与一般的SPI-NOR相同。因此现有的平台可以采用这个模式将boot code读取出来，建立起操作环境。
DRAM种类的选择通常取决于整个SOC内所有IP单元对DRAM存取的总计算量(通常影像的应用会特别耗DRAM的带宽)，决定总量之后，可以先选择IO数目(32 or 16)之后再决定所需要的频率速度。而封装的样式也是根据贵公司的需要(常见的样式有一般封装或是KGD形式)。
传统DDR 使用 DLL(延迟锁相廻路)。基於考量省电 LPDDR不使用 DLL(延迟锁相廻路)。
LPDDR2 最高工作频率 533MHz。
LPDDR1 最高工作频率 200MHz。
Open NAND Flash Interface (ONFI) 是一个产业标准，目的在于提供NAND Flash的标准接口，藉以让用户得以简化产品的接口设计，透过标准接口存取不同供货商与容量的NAND Flash产品。
SLC指的是每个记忆单位内只能储存1个位数据(0/1)。MLC是可提供多准位的记忆单位 (Multi-Level-Cell)。一般来说，MLC可以储存2个bit信息 (00//01/10/11)。因此，MLC的成本较低，也较容易提供大容量的产品。SLC 产品则是可以提供较好的性能与稳定性。
坏块的定义是一个Block中，至少有一个Page内的error bit超过了ECC所能处理的数量。在出厂时，可以保证在起始位置的Block 0 一定是好的区块，并且所有的好区块都已经被抹除(Erase)，如果是不建议使用的坏块则会被标示出来。如果是一开始就不建议使用的坏块，工厂会在其第一页 (First page)与第二页(Second page)的Spare area 起始位置写入 (Non-FFh) 作为坏块标志。
每一个页面(page)包含了主要数据储存区(main data storage area)与保留数据储存区(spare data area)。主要数据储存区一般用于用户数据或是程序代码储存，而保留数据储存区 (spare area)则是储存纠错处理与坏块管理的信息。
华邦有提供具有永久性防擦写功能的NAND Flash。请与华邦业务团队或是代理商联系，以取得相关资料。
SPD码用於DRAM模组，请提供SPD 档，我们会为你适当调整SPD码，俾供客户方便使用。
请洽询我们FAE的帮忙，华邦致力于满足客户的需要。
华邦有很多帮忙客户从导入到完成整个项目的经验，各负责不同区域的同仁可帮忙评估贵公司的需要以及提供您最好的建议，假如您有这个需要请不要犹豫让我们有服务您的机会。
首先，华邦Serial NAND可以提供高达 52MB/s 的数据传输率以改善系统效能。第二，PCB布局可以简化，尺寸也可以缩小。第三，主芯片可以将接口简化，减少封装脚位。整体而言，系统的效能得以提升，而系统的总成本却可以降低。