The center pad is structural and not connected to any internal electrical signals. It can be left floating or connected to the device ground (GND pin). Avoid placement of exposed PCB vias under the pad.
Make sure to send a Write Enable (06h) instruction before any program, erase instructions.
It is a common misconception that /WP pin is for protecting the flash memory content. /WP actually prevents writing to the status register. Protection control bits in the Status Register have to configured first and then use the /WP pin as a hardware control. Software control protection without /WP pin can also be used. Refer to the Write Protection section in the datasheet for more details.
Quad Enabled bit (QE) is always enabled by default only meant quad mode is always available. It does not disable single or dual SPI modes. If a single or dual SPI instruction is sent, the flash will execute the instruction in single or dual mode accordingly.
All Winbond flash devices are MSL 3.
All Winbond flash are shipped in all erased state from the factory.
Poll the Status Register "BUSY bit". If BUSY becomes "0", it means the erase operation has completed.
You can migrate to W25R128JV. The W74M and W25R family are the same and interchangable. Winbond has migrated all W74M industrial applications to the W25R RPMC family.
You can request the reflow profile through Winbond's Technical Support link. https://www.winbond.com/hq/support/technical-support/?__locale=en
This VIO (SOP16 pin14) is not connected internally, there is no issue connecting VCC to this pin.
PSRAMはPseudo－SRAMです。CRAMはCellular-RAMです。CRAMは業界のさまざまなアプリケーション向けで最も人気の高いPSRAMです。
JEDEC規格による正式名称はLPDDR（Low Power Double Data Rate）です。
実際には、LPDDR1とLPDDRは同じです。
Pseudo SRAMは通常１２８Ｍｂ未満で１６６ＭＨｚより低速な、小容量かつ低スループットのアプリケーションをターゲットとしています（ほとんどの場合は１３３ＭＨｚ用）。 それ以外の場合は、低電力DDRをご検討ください。
モバイルとスペシャリティDRAMの最も大きな違いは、モバイルDRAMが、特にスタンバイモードにおいて、省電力性を重視する点です。 セルによってパワーライズされている製品向けには、モバイルを推奨します。
DDR3はVDD = VDDQ = 1.5V±0.075Vで動作しています。
DDR3Lは電源= 1.35V（標準）VDD = VDDQ = 1.283V〜1.45Vで動作しています。 ウィンボンドのDDR3Lは、VDD = VDDQ = 1.5V±0.075Vと下位互換性があります。
512Kbから512Mbの容量帯のシリアルNORフラッシュを提供しています。
ウィンボンドは販売数や収益においてシリアルNORフラッシュ市場をリードしてきました。512Kbから512Mbまでの容量帯にてシリアルフラッシュを提供しています。これらの製品は、標準/デュアルおよびクワッドSPIにて利用可能です。より高いパフォーマンス用のQPIモードも同価格で提供しており、用途に合わせて使用するフレキシビリティをお客様に提供します。
クワッドSPIパワーアップとSFDP（シリアルフラッシュ検出可能パラメータ）は、弊社が提供するIntel PCの要件です。 高速書き込み、プログラム/イレーズ、サスペンド/レジューム、WRAPバーストリード、揮発性ステータスレジスタ書き込み、コンプリメントアレイ保護は、携帯電話などのアプリケーションをサポートする機能です。 これに加え、セキュリティ強化のために、OTPアレイとレジスタ、ソフトウェアやハードウェアのリセット、プログラマブル出力ドライブ、および独立したブロックロック機能を提供しています。
旧世代の3Vおよび2.5V製品の代替品である1Mbから4Mbまでの低容量ファミリ・W25CLが現在量産中です。また、として1.8V 製品も 1Mbから8MbまでEWファミリとして現在量産中です。3V製品・JVファミリも16Mbから512Mbまで、1.8V製品はJWファミリとして16Mbから512Mbまで現在入手可能です。
シリアルフラッシュ製品はさまざまな小型パッケージにて提供されています。208MilのSOIC8は最大容量向けでコストパフォーマンスに優れています。次に150Mil SOICパッケージが続きます。スモールフォームファクタアプリケーション向けで最も普及しているのは、6ｘ5㎜のWSON8や2x3㎜USON8です。8x6 mm BGAの製品は、ピンをプローブできないSTBのような安全なアプリケーション用で、256Mbや512Mbのような高容量品は8 x 6 mmのWSONまたは300MilのSOIC8パッケージで提供されます。 スペースに制約のあるアプリケーションには、業界最小パッケージのWLCSPや、KGD（Known Good Die）が人気です。
理想的な条件においてのシリアルNANDのクワッドモードリードパフォーマンスは、ONFI NANDのバイトモードとほぼ同じレベルです。 さらに、ウィンボンドのシリアルNANDはONFI NANDの2倍のデータ転送速度である「コンティニュアスリードモード」をサポートします。 そのため、シリアルNANDのリードパフォーマンスは、ONFI NANDより優れています。
NANDで新製品ファミリを開発しました。弊社のNORフラッシュ製品は最大512Mbですが、SLC NANDはこの容量をはるかに超えて、１Gb, 2Gb, 4Gbおよび8Gbとマイグレーションしていきます。シリアルNAND製品は同じSPIインターフェースを持つNOR製品の拡張となります。これら製品の多くはアプリケーションに応じて、コードに加えデータを格納するために使用されます。
NANDフラッシュは512Mb以上の容量のNORフラッシュに比べコストパフォーマンスが優れています。512Mb以上の大容量NANDフラッシュは従来、データ格納に使用されます。NORフラッシュは512Kbから512Mbの容量帯で、一般的にコード格納に使用されます。
DRAMタイプの選択は、SOC内のすべてのIPの計算帯域幅によって異なります。 すべてのIPがコンピューティングを必要とする量を計算する必要があります（通常ビデオアプリケーションはほとんどの帯域幅を占めます）。 決定したら、32または16 IO（通常）と、必要なスループットを達成するために使用する動作周波数の速度を選択できます。 DRAMのパッケージタイプもアプリケーション次第です。 KGDまたはパッケージ（ボール数）が最も一般的です。
従来のＤＤＲでは、ＤＬＬ（Delay Lock Loop）が一般的に使用されています。 LPDDRの場合、DLLは不要で、省電力に役立ちます。
LPDDR2は533MHz、LPDDRは200MHzです。
ONFI(Open NAND Flash Interface)は、NANDフラッシュメモリを構築、設計、または有効にする100社以上の企業で構成される業界ワークグループです。 これは、コンシューマエレクトロニクス製品、コンピューティングプラットフォーム、およびソリッドステートマスストレージを必要とするその他のアプリケーションへのNANDフラッシュの統合を簡素化することを目的としています。 NANDフラッシュのコネクタおよびモジュールのフォームファクタ仕様と同様に、標準化されたコンポーネントレベルのインタフェース仕様を定義します。
ＳＬＣはシングルレベルセル(Single Level Cell)を意味し、１ユニットのＳＬＣは１ビットの情報（0/1）しか格納できません。 ＭＬＣはマルチレベルセル(Multi Level Cell)を意味します。 MLCユニットは、2ビットの情報（00/01/10/11）を格納することができます。 したがって、MLCフラッシュデバイスはより低価格でより大容量です。 SLCフラッシュデバイスは、パフォーマンスと信頼性がMLCより優れています。
バッドブロックは、最低限必要なＥＣＣによって訂正することができるよりも多くの不良ビットを有する少なくとも１つのページを含むものです。 ブロック0、ブロックアドレス00hは出荷時に有効なブロックであることが保証されています。 デバイスが工場から出荷される前に、それは消去され、無効なブロックはマークされます。 1ページ目または2ページ目のスペア領域の先頭バイトには、最初のすべての無効ブロックに非FFhのマークが付けられます。
各ページは、主データ記憶領域と予備データ領域とから構成されています。 通常、メイン領域はユーザーデータまたはコード格納用に使用され、スペア領域はエラー管理機能用に使用されます。
はい、お取り扱いしております。弊社セールス部門または代理店に連絡し、製品注文情報を入手してください。
まず、双方の容量が同じかどうかを確認します。 その後、データシートの仕様をご確認ください。各ベンダーのデータ出力時間は若干異なる場合があります。他社DRAMから置き換えした後は、SoC構成でデータラッチ時間を微調整することをお勧めします。
DQリードとDQSの波形関係はエッジアラインです。 DQライトとDQSの波形関係は中央揃えです。
PCBレイアウトでA13をすでに予約しており、コントローラが2Gb DDR3 DRAMもサポートしている場合は、1Gb DDR3 DRAMを2Gb DDR3 DRAMに交換できます。 そして、ソフトウェア設定で2Gbデータシート定義として行/列アドレスを修正してください。
非同期モードでは、クロックをLOWに固定する必要があります。
省電力機能を備えたLPDDRは、主に携帯電話などのモバイルアプリケーションに使用されます。一般的に、モバイルアプリケーションはバッテリー駆動であり、電力消費は重要なポイントです。従来のDDRは主に通常アプリケーション向けです。
省電力機能を備えたLPDDR2は、主に携帯電話などのモバイルアプリケーションに使用されます。 一般的に、モバイルアプリケーションはバッテリー駆動であり、電力消費は重要なポイントです。 従来のDDR2は主に通常のアプリケーション向けです。
はい、1ビットECC NANDは、通常の操作において1エラービットしかないことを意味します。一般的に、NANDフラッシュの予備領域は少なくとも64バイトです。64バイトはファイルシステムから4ビットECCパリティとMETAデータを入れるのに十分な大きさです。したがって、ホストは4ビットECCアルゴリズムを使用し、4ビットECCパリティを1ビットECC NANDの64バイトの予備領域に配置可能です。
はい、ウィンボンドのシリアルNANDはコンティニュアスリードモードを提供します。これはSPI-NORによって使用される主要な読み出しコマンドと下位互換性があります。 レガシープラットフォームはこのモードでシリアルNANDからブートコードを読み出してシステムを立ち上げることができます。
通常、SPDコードはDRAMモジュールに使用されますが、弊社SPDファイルが必要な場合は、お客様のSPDファイルを提供していただき、SPDコードをウィンボンド用に変更します。
FAEにお問い合わせください。
ウィンボンドは、豊富な経験を活かし、お客様のプロジェクト成功に向け尽力します。ぜひお気軽にお問い合わせください。
第一に、システム性能を向上させるために52Mb/秒のデータ転送速度を提供します。 次に、8ピンの小型WSONパッケージにより、PCBのレイアウトとサイズが縮小されます。 第３に、ＳｏＣはまた、従来のパラレルＮＡＮＤインターフェースを取り除くことによってメモリインターフェースを単純化し、ピン数を減らすことができます。 全体として、システムパフォーマンスが向上し、システムBOMコストが削減されます。