這些輸出引腳是使用外部上拉(open-drain) 的設計，使用者可以通過將引腳接地或不連接來停用它們。
封裝底部中央的金屬焊盤區域沒有連接到任何內部訊號。它可以不連接或連接到裝置接地（GND 引腳）。避免焊盤下有裸露的 PCB穿孔。
1). 當電源關閉或執行軟體/硬體重置時，使用 50h 與 01h/31h/11h 組合寫入 SR 時，揮發性狀態暫存器位元值將會遺失，非揮發性狀態暫存器位元值將恢復；
2). 執行 50h 指令後，狀態暫存器位元 WEL 保持為 0；
3). 在揮發性狀態暫存器寫入操作期間（50h 與 01h/31h/11h 組合），BUSY 位元將在狀態暫存器位元刷新期間將保持為 0。
VCC值為目前工作VCC，例如目前工作VCC為3.3V，則VIO範圍為-0.6V至3.7V，若目前工作VCC為2.7V，則VIO範圍為-0.6V至3.1V。
最有可能的原因是暫存器寫入過程中意外斷電。
“/CS 必須在 VCC 上升/下降期間追蹤 VCC”的目的是防止在 VCC 上升/下降期間由於 /CS在低準位導致指令被無意輸入。只要可以在 VCC 上升/下降期間將 /CS 設置為高準位，就沒有問題。此外，即使在 VCC 上升/下降期間 /CS 為低準位，只要 CLK 輸入確實停止，也沒有問題。
請參閱應用說明 (AN0000035) W25Q01JV SpiFlash 堆疊晶片使用, 另外，雖然AN0000035的標題和內容記載為W25Q01JV，但該內容也適用於W25Q01NW。
電阻值為 55K 至 95KΩ。
可能無法正確執行上電重置且無法進行正常操作。在 tPWD 期間必須將 VCC 施加低於 VPWD 的電壓，或將 VCC降至 0V 然後重新上電。
Continuous Read 模式可以支援 Flash 內建的 ECC，並且需要設定ECC-E bit = 1，但 Sequential Read 模式不支援Flash 內建的 ECC，需要 SoC 來運行 ECC確認。此外，連續讀取模式下的資料輸出結構並不包括備用區域。
快閃記憶體使用的基本規則是使去耦電容(decoupling capacitor)放置位置盡可能靠近我們的電源和接地(VCC/GND) 引腳，並且晶片下方PCB板應該放置較大面積的 VCC/接地以降低雜訊的影響。
讀取不穩定只是一個徵狀。可能的原因包括寫入資料時電壓不穩定或不足、擦除過程中意外斷電、或快閃記憶體位元可能已經損壞，需要進行FA故障分析才能確定。
- 1. N 尾碼和 Q 尾碼的區別：Q 尾碼快閃記憶體的驅動強度為25%或 50%，N 尾碼快閃記憶體的驅動強度為75%。
- 2. M尾碼和Q尾碼的區別：M尾碼快閃記憶體的QE位默認為0，可以修改為1；Q 尾碼快閃記憶體的 QE位固定為1。M尾碼快閃記憶體具有 QPI/DTR/連續讀取模式功能，但 Q 尾碼快閃記憶體沒有這個功能。
1. 在Status Register 3 中的WPS bit設置為0時(出廠預設值), 根據Datasheet中的記憶體保護表格配置Status Register1的SEC/TB/BP[2:0] 和Status Register2的CMP位元來保護不同的區域. 被保護的區域資料無法被擦除或是寫入.
2. 將Status Register 3 中的WPS bit設置為1, 啟動單獨區塊記憶體保護(WPS=1), 根據對應的磁區和區塊設定保護. Flash設定保護後的區域資料無法被擦除或是寫入. 此設定下原本的Status Register1設定會自動無效.
是的。
1. 支援帶OTP鎖定的3x256位元組安全暫存器。安全暫存器鎖定位（LB3、LB2、LB1）是狀態暫存器（S13、S12、S11）中的非揮發一次寫入（OTP），為安全暫存器提供寫入保護控制和狀態。LB3-1的預設狀態為0，安全暫存器處於解鎖狀態。可以使用寫入狀態暫存器指令將LB3-1單獨設定為 1。 LB3-1為一次寫入（OTP）位元，一旦設定為1，對應的256位元組安全暫存器將永久變為唯讀狀態。
2. 設定SR2的SRL位元為1並永久鎖定SR以配置OTP區域，具體特殊指令序列請聯絡華邦電子（AN0000003 Special One Time program for SPI flash）
他們來自於相同的製程工藝，但有升級部分性能。 請參考migration guide。
Yes, the /RESET pin of W25R256JV also has an internal pull-up resistor.
答：是的, W25R256JV 的 /RESET pin腳也有內部上拉電阻。
是的, W25R256JV 的 /RESET pin腳上也有內部上拉電阻。
W25N0xKx 沒有配備壞塊管理功能, 因此即使初始壞塊包含在讀取範圍內, 也會讀取初始壞塊中的資料。 因此，主控端需要進行處理以排除從初始壞塊讀取的資料。
序列讀取模式(Sequential Read)允許使用者利用在外部 ECC 引擎來實現位元錯誤修正, 它可以透過單一讀取命令存取整個記憶體陣列（包括主要區域和備用區域）。 這對於程式碼映射應用來說是較有效率的讀取方式。
尾碼字元表示讀取模式的預設操作。 尾碼U表示序列讀取模式(Sequential Read)，而C和T表示連續讀取模式(Continuous Read)。 其他尾碼（R、E、F 和 G）預設為緩衝讀取模式(Buffer Read)。
通常不建議在進行區塊擦除時讀取資料。請注意，在區塊擦除期間，如果下達讀取指令將會被忽略，此期間僅接受讀取狀態暫存器指令、重置指令，以及擦除暫停指令。如果使用者需要讀取正在擦除的區塊外的資料，可以先下達抹除暫停指令，再進行讀取。
這裡的45%Pc是指根據最大CLK頻率計算出的最小CLK週期。 以下計算以 133MHz CLK 頻率為例，計算出來的最小值時序是45%*1/133MHz=45%*7.5ns=3.375ns，所以只要tCLH和tCLL≥3.375ns就沒有問題。
這需要參照實際情況。 例如，如果實際應用時VCC沒有下降到VPWD電位並再次往上，可能會導致Flash異常。 這時就需要重置指令66h/99h來重置Flash。因此建議上電後新增 66h/99h Soft Reset 指令。
請選擇 W25QXXXXM 系列並將 Status Register-3 的 S23 位元從 0 變更為 1。Status Register-3 中的 S23 位元稱為 HOLD/RST 位元，當 HOLD/RST=0（出廠預設）時，該引腳充當 /HOLD； 當HOLD/RST=1時，該引腳充當 /RESET。
QSPI只需要SI (IO0)腳位用於指令輸入，位址/資料分別透過 4 個I/O(IO0~IO3)腳位進行輸入和輸出傳輸。 QPI 始終為4 個I/O(IO0~IO3)輸入和輸出的指令、位址和資料。
當 QE 位元設定為 1 時，/Hold 或 /RESET 引腳的功能已停用，無法再使用，但 /WP 引腳的功能在SPI 模式下仍可使用。
強烈建議/CS 引腳使用上拉電阻，典型值為 10K 歐姆。 對於 Quad SPI 中的 IO2 和 IO3 引腳，若必須考量BOM 表成本，則可以選擇不接上拉電阻。如果未啟動 Quad SPI 模式，建議將上拉電阻連接至 HOLD_L/IO3。 HOLD_L 引腳必須連接為高電位，以確保 HOLD 功能不會無意間啟用。
如果焊墊線路可以設計足夠的長度，SOP8 150mil 和 208mil 封裝可以共用相同封裝的焊墊線路。WSON8 6x5mm 和 8x6mm 封裝也可以共用相同的焊墊線路。此外，SOP8和WSON8還可以共享相同的焊墊線路並且可以互換。總而言之，如果焊墊線路設計正確，客戶可以對華邦所有四種不同8 引腳或 8 焊盤墊封裝使用相同的 PCB 設計。這可以大幅減少 PCB 重新設計工作量和成本，以適應不同平台的不同封裝需求。
中心焊墊屬於結構性組件，未連接至任何內部電子訊號元件。可使其保持空接，或連接至裝置接地 (GND 針腳)。請避免將外露的 PCB 通孔/穿孔置於焊墊下方。
在執行任何寫入、抹除指令前，務必先傳送 Write Enable (06h) 指令。
使用 /WP 腳位來保護快閃記憶體內容，是一種常見的錯誤觀念。/WP 的實際作用是防止寫入狀態暫存器。硬體保護控制必須先設定狀態暫存器中的保護控制位元，再將 /WP 針腳用作硬體控制訊號。亦可不使用 /WP 腳位，而僅用軟體控制保護機制。詳細資訊請參閱datasheet中的「寫入保護」章節。
Quad Enable 位元 (QE) 固定預設為啟用，僅表示四線模式始終可用，並不會因此停用單或雙 SPI 模式。如果發送單或雙 SPI 指令，快閃記憶體將會相對應地以單或雙SPI模式執行指令。
華邦所有快閃記憶體裝置的等級皆為 MSL 3。
華邦所有快閃記憶體出廠時皆為完全抹除狀態。
查詢狀態暫存器「BUSY 位元」。如果 BUSY 變為「0」，則表示抹除作業已完成。
您可以轉移到 W25R128JV。W74M 和 W25R 系列規格相同，可以替換。華邦已將所有 W74M 的工業應用轉移至 W25R RPMC 系列。
您可以透過華邦的技術支援連結索取回焊曲線。https://www.winbond.com/hq/support/technical-support/?__locale=en
此 VIO (SOP16 pin14) 並未連接任何內部元件，因此 VCC 連接該針腳不會產生問題。
PSRAM指虛擬靜態記憶體，CRAM 指行動虛擬靜態記憶體。 CRAM是多種虛擬靜態記憶體規格中最廣為業界普遍採用。
依JEDEC 標準，正式名稱為LPDDR。依業界習慣LPDDR1 與 LPDDR 完全相同。
Pseudo SRAM使用目標為低容量與低頻寬的市場應用，其通常小於128Mb與低於166MHz(大部分狀況為133MHz)，如果您的應用大於這個數值，建議考慮LPDDR系列。
行動與利基型DRAM之間最大的差異就是行動DRAM強調具有省電的特質，特別在待機時。假如貴公司產品是由電池供電，我們建議優先使用行動DRAM。
DDR3 工作電壓 : VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
DDR3L 工作電壓: VDD = VDDQ = 1.283V to 1.45V. (1.35V 標準設定)
DDR3L 可完全含蓋DDR3 工作電壓
我們提供了從 512Kb 到 512Mb 的 Serial NOR Flash 產品以及 32Mb 到 512Mb 的 Parallel NOR Flash 產品。
華邦在SPI-NOR的銷量與營收皆位於領先地位，我們提供了從512Kb到512Mb的產品，不僅可以支援標準的SPI介面，也支援了雙I/O與四I/O的讀取模式，以及更高效能的QPI模式，能夠在具有競爭力的價格下提供客戶在不同應用下更多的彈性。
華邦的Parallel NOR GL產品線由32Mb到256Mb符合工業級標準，客戶可直接提換目前使用的Parallel NOR產品，無須對韌體或是軟體進行修改。
Serial NOR Flash 支持了Intel在PC產品上所要求的Quad SPI與SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)，對於行動通訊產品與一般產品所需的 Fast write, Program/Erase Suspend/Resume, Burst with Wrap, Volatile status register write, complement array protection 也都支持，可透過軟體與硬體進行晶片重新啟動，並且有可調整的輸出驅動以及獨立區塊的保護機制。
W25-CL是已經量產穩定許久的產品線，提供了3V與2.5V、1Mb到4Mb的產品。W25-JV則是將取代W25-FV，由16Mb到512Mb。W25-EW是為了取代1.8V W25-BW的新產品線，包含了1Mb到8Mb的容量。在中高容量，W25-JW將會取代W25-FW。
華邦提供多樣化的封裝選項，其中208mil SOP8是最廣泛使用的封裝。此外，150mil SOP8，6x5 WSON8與2x3 USON8 以廣泛使用在小尺寸的封裝需求。對於機上盒的安全需求，8x6 BGA24是一個合適的選項。在高容量的產品上，300mil SOP16是標準選項。另外多數產品也都支援晶圓級晶粒尺寸封裝 (WLCSP)與KGD (Known Good Die)的選擇。
在一般的理想狀態下，Serial NAND在四個I/O下的資料傳輸率與ONFI NAND在八個I/O下的資料傳數率相當。但是Winbond Serial NAND還支持了 "Continuous Read Mode". 在這個模式下，資料傳輸率約略是ONFI NAND的兩倍，因此Serial NAND的讀取速度是優於 ONFI NAND
我們正在開發新的NAND Flash 產品。我們提供512Mb以下的NOR Flash，在高於512Mb的容量需求，會推薦採用SLC NAND產品，其中包含了1Gb, 2Gb, 4Gb 到8Gb。由於Serial NAND也採用SPI介面，因此可以由SPI-NOR順利的延伸使用。這些產品主要瞄準程式碼的儲存，也同時提供使用者資料的保存。
在512Mb 以上，NAND Flash產品在在成本上相較於NOR Flash產品有較佳的優勢。NAND Flash一般在512Mb以上，主要用於資料儲存。NOR Flash一般容量在512K到512Mb之間，用以程式碼儲存。
DRAM種類的選擇通常取決於整個SOC內所有IP單元對DRAM存取的總計算量(通常影像的應用會特別耗DRAM的頻寬)，決定總量之後，可以先選擇IO數目(32 or 16)之後再決定所需要的頻率速度。而封裝的樣式也是根據貴公司的需要(常見的樣式有一般封裝或是KGD形式)。
傳統DDR 使用 DLL(延遲鎖相廻路)，基於考量省電 LPDDR不使用 DLL(延遲鎖相廻路)
LPDDR2 最高工作頻率 533MHz，LPDDR1 最高工作頻率 200MHz。
Open NAND Flash Interface (ONFI) 是一個產業標準，目的在於提供NAND Flash的標準介面，藉以讓使用者得以簡化產品的介面設計，透過標準介面存取不同供應商與容量的NAND Flash產品。
SLC指的是每個記憶單位內只能儲存1個位資料(0/1)。MLC是可提供多准位元的記憶單位 (Multi-Level-Cell)。一般來說，MLC可以儲存2個bit資訊 (00//01/10/11)。因此，MLC的成本較低，也較容易提供大容量的產品。SLC 產品則是可以提供較好的性能與穩定性。
壞塊的定義是一個Block中，至少有一個Page內的error bit超過了ECC所能處理的數量。在出廠時，可以保證在起始位置的Block 0 一定是好的區塊，並且所有的好區塊都已經被抹除(Erase)，如果是不建議使用的壞塊則會被標示出來。如果是一開始就不建議使用的壞塊，工廠會在其第一頁 (First page)與第二頁(Second page)的Spare area 起始位置寫入 (Non-FFh) 作為壞塊標誌。
每一個頁面(page)包含了主要資料儲存區(main data storage area)與保留資料儲存區(spare data area)。主要資料儲存區一般用於使用者資料或是程式碼儲存，而保留資料儲存區 (spare area)則是儲存糾錯處理與壞塊管理的資訊。
華邦有提供具有永久性防擦寫功能的NAND Flash。請與華邦業務團隊或是代理商聯繫，以取得相關資料。
替換不同廠商DRAM 時，需注意:
1.確認容量相同
2.依各 廠商規格書要求設定
3.微調系統讀取資料設定
在讀的時候，DQ 和DQS 是邊緣對齊。在寫的時候，DQ C和DQS 是中心對齊，也就是會有90度的相位差。
以2Gb DDR3 取代 1Gb DDR3 時，如 PCB 板已預留A13 則只需透過軟件調整row/column 設定即可，另外DRAM 參數設定也必須注意符合2Gb 的spec。
時鐘在非同步模式時應設定為低位準。
LPDDR 具特殊省電功能，主要應用於使用電池需考量省電的行動裝置，如手機。傳統DDR則用於一般應用。
LPDDR2 具特殊省電功能，主要應用於使用電池需考量省電的行動裝置，如手機。傳統DDR2則用於一般應用。
可以的，需要1bit ECC 糾錯的NAND Flash 表示主控端至少需易運行1bit 糾錯的演算法。一般而言，NAND Flash至少有 64byte 的Spare Area。64Byte 的空間已經足夠放置4bit ECC 改錯碼以及其他檔案系統所需的管理資訊。所以如果主控端採用4bit ECC的糾錯處理，其4bit ECC的改錯碼放在 1bit ECC NAND 的 64Byte spare area 是沒有問題的。
可以的，華邦的Serial NAND提供了Continuous Read 模式。在這個模式下，讀取指令的協定與一般的SPI-NOR相同。因此現有的平臺可以採用這個模式將boot code讀取出來，建立起操作環境。
SPD碼用於DRAM模組，請提供SPD 檔，我們會為你適當調整SPD碼，俾供客戶方便使用
請洽詢我們FAE的幫忙，華邦致力於滿足客戶的需要。
華邦有很多幫忙客戶從導入到完成整個項目的經驗，各負責不同區域的同仁可幫忙評估貴公司的需要以及提供您最好的建議，假如您有這個需要請不要猶豫讓我們有服務您的機會。
首先，華邦Serial NAND可以提供高達 52MB/s 的資料傳輸率以改善系統效能。第二，PCB佈局可以簡化，尺寸也可以縮小。第三，主晶片可以將介面簡化，減少封裝腳位。整體而言，系統的效能得以提升，而系統的總成本卻可以降低。