PSRAM指虛擬靜態記憶體，CRAM 指行動虛擬靜態記憶體。 CRAM是多種虛擬靜態記憶體規格中最廣為業界普遍採用。
依JEDEC 標準，正式名稱為LPDDR。依業界習慣LPDDR1 與 LPDDR 完全相同。
Pseudo SRAM使用目標為低容量與低頻寬的市場應用，其通常小於128Mb與低於166MHz(大部分狀況為133MHz)，如果您的應用大於這個數值，建議考慮LPDDR系列。
行動與利基型DRAM之間最大的差異就是行動DRAM強調具有省電的特質，特別在待機時。假如貴公司產品是由電池供電，我們建議優先使用行動DRAM。
DDR3 工作電壓 : VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
DDR3L 工作電壓: VDD = VDDQ = 1.283V to 1.45V. (1.35V 標準設定)
DDR3L 可完全含蓋DDR3 工作電壓
我們提供了從 512Kb 到 512Mb 的 Serial NOR Flash 產品以及 32Mb 到 512Mb 的 Parallel NOR Flash 產品。
華邦在SPI-NOR的銷量與營收皆位於領先地位，我們提供了從512Kb到512Mb的產品，不僅可以支援標準的SPI介面，也支援了雙I/O與四I/O的讀取模式，以及更高效能的QPI模式，能夠在具有競爭力的價格下提供客戶在不同應用下更多的彈性。
華邦的Parallel NOR GL產品線由32Mb到256Mb符合工業級標準，客戶可直接提換目前使用的Parallel NOR產品，無須對韌體或是軟體進行修改。
Serial NOR Flash 支持了Intel在PC產品上所要求的Quad SPI與SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)，對於行動通訊產品與一般產品所需的 Fast write, Program/Erase Suspend/Resume, Burst with Wrap, Volatile status register write, complement array protection 也都支持，可透過軟體與硬體進行晶片重新啟動，並且有可調整的輸出驅動以及獨立區塊的保護機制。
W25-CL是已經量產穩定許久的產品線，提供了3V與2.5V、1Mb到4Mb的產品。W25-JV則是將取代W25-FV，由16Mb到512Mb。W25-EW是為了取代1.8V W25-BW的新產品線，包含了1Mb到8Mb的容量。在中高容量，W25-JW將會取代W25-FW。
華邦提供多樣化的封裝選項，其中208mil SOP8是最廣泛使用的封裝。此外，150mil SOP8，6x5 WSON8與2x3 USON8 以廣泛使用在小尺寸的封裝需求。對於機上盒的安全需求，8x6 BGA24是一個合適的選項。在高容量的產品上，300mil SOP16是標準選項。另外多數產品也都支援晶圓級晶粒尺寸封裝 (WLCSP)與KGD (Known Good Die)的選擇。
在一般的理想狀態下，Serial NAND在四個I/O下的資料傳輸率與ONFI NAND在八個I/O下的資料傳數率相當。但是Winbond Serial NAND還支持了 "Continuous Read Mode". 在這個模式下，資料傳輸率約略是ONFI NAND的兩倍，因此Serial NAND的讀取速度是優於 ONFI NAND
我們正在開發新的NAND Flash 產品。我們提供512Mb以下的NOR Flash，在高於512Mb的容量需求，會推薦採用SLC NAND產品，其中包含了1Gb, 2Gb, 4Gb 到8Gb。由於Serial NAND也採用SPI介面，因此可以由SPI-NOR順利的延伸使用。這些產品主要瞄準程式碼的儲存，也同時提供使用者資料的保存。
在512Mb 以上，NAND Flash產品在在成本上相較於NOR Flash產品有較佳的優勢。NAND Flash一般在512Mb以上，主要用於資料儲存。NOR Flash一般容量在512K到512Mb之間，用以程式碼儲存。
替換不同廠商DRAM 時，需注意:
1.確認容量相同
2.依各 廠商規格書要求設定
3.微調系統讀取資料設定
在讀的時候，DQ 和DQS 是邊緣對齊。在寫的時候，DQ C和DQS 是中心對齊，也就是會有90度的相位差。
以2Gb DDR3 取代 1Gb DDR3 時，如 PCB 板已預留A13 則只需透過軟件調整row/column 設定即可，另外DRAM 參數設定也必須注意符合2Gb 的spec。
時鐘在非同步模式時應設定為低位準。
LPDDR 具特殊省電功能，主要應用於使用電池需考量省電的行動裝置，如手機。傳統DDR則用於一般應用。
LPDDR2 具特殊省電功能，主要應用於使用電池需考量省電的行動裝置，如手機。傳統DDR2則用於一般應用。
可以的，需要1bit ECC 糾錯的NAND Flash 表示主控端至少需易運行1bit 糾錯的演算法。一般而言，NAND Flash至少有 64byte 的Spare Area。64Byte 的空間已經足夠放置4bit ECC 改錯碼以及其他檔案系統所需的管理資訊。所以如果主控端採用4bit ECC的糾錯處理，其4bit ECC的改錯碼放在 1bit ECC NAND 的 64Byte spare area 是沒有問題的。
可以的，華邦的Serial NAND提供了Continuous Read 模式。在這個模式下，讀取指令的協定與一般的SPI-NOR相同。因此現有的平臺可以採用這個模式將boot code讀取出來，建立起操作環境。
DRAM種類的選擇通常取決於整個SOC內所有IP單元對DRAM存取的總計算量(通常影像的應用會特別耗DRAM的頻寬)，決定總量之後，可以先選擇IO數目(32 or 16)之後再決定所需要的頻率速度。而封裝的樣式也是根據貴公司的需要(常見的樣式有一般封裝或是KGD形式)。
傳統DDR 使用 DLL(延遲鎖相廻路)，基於考量省電 LPDDR不使用 DLL(延遲鎖相廻路)
LPDDR2 最高工作頻率 533MHz，LPDDR1 最高工作頻率 200MHz。
Open NAND Flash Interface (ONFI) 是一個產業標準，目的在於提供NAND Flash的標準介面，藉以讓使用者得以簡化產品的介面設計，透過標準介面存取不同供應商與容量的NAND Flash產品。
SLC指的是每個記憶單位內只能儲存1個位資料(0/1)。MLC是可提供多准位元的記憶單位 (Multi-Level-Cell)。一般來說，MLC可以儲存2個bit資訊 (00//01/10/11)。因此，MLC的成本較低，也較容易提供大容量的產品。SLC 產品則是可以提供較好的性能與穩定性。
壞塊的定義是一個Block中，至少有一個Page內的error bit超過了ECC所能處理的數量。在出廠時，可以保證在起始位置的Block 0 一定是好的區塊，並且所有的好區塊都已經被抹除(Erase)，如果是不建議使用的壞塊則會被標示出來。如果是一開始就不建議使用的壞塊，工廠會在其第一頁 (First page)與第二頁(Second page)的Spare area 起始位置寫入 (Non-FFh) 作為壞塊標誌。
每一個頁面(page)包含了主要資料儲存區(main data storage area)與保留資料儲存區(spare data area)。主要資料儲存區一般用於使用者資料或是程式碼儲存，而保留資料儲存區 (spare area)則是儲存糾錯處理與壞塊管理的資訊。
華邦有提供具有永久性防擦寫功能的NAND Flash。請與華邦業務團隊或是代理商聯繫，以取得相關資料。
SPD碼用於DRAM模組，請提供SPD 檔，我們會為你適當調整SPD碼，俾供客戶方便使用
請洽詢我們FAE的幫忙，華邦致力於滿足客戶的需要。
華邦有很多幫忙客戶從導入到完成整個項目的經驗，各負責不同區域的同仁可幫忙評估貴公司的需要以及提供您最好的建議，假如您有這個需要請不要猶豫讓我們有服務您的機會。
首先，華邦Serial NAND可以提供高達 52MB/s 的資料傳輸率以改善系統效能。第二，PCB佈局可以簡化，尺寸也可以縮小。第三，主晶片可以將介面簡化，減少封裝腳位。整體而言，系統的效能得以提升，而系統的總成本卻可以降低。