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ウィンボンドのHyperRAM™製品は、IoTやコンシューマ機器、車載、産業機器において従来のpseudo-SRAMに代わるコンパクトな代替品を提供します。2021年に量産開始されるHyperRAM™製品は、ウィンボンドの25nmプロセスによって製造され、容量は256Mビットおよび512Mビットまで拡張可能です。 

超低消費電力:
ウィンボンドのハイブリッドスリープモード(HSM) は待機時消費電力を45μWに抑え、動作電力は同等のpSRAM製品の半分以下です。 

設計の簡素化:
pSRAMの信号ピンが31本であるのに対し、HyperRAM™はわずか13本の信号ピンしかありません。これにより、ボードのレイアウト設計と製造が大幅に簡素化されます。 

省スペース:
パッケージのピン数が少なく、また、ホストコントローラーへの接続数が少ないため、メモリシステムのボードフットプリントが削減され、スマートウォッチなどのコンシューマ機器における省スペースを実現します。

Density

Part No. Voltage Speed Temp. Organization Automotive Status Datasheet
W959D8NFY 1.8V 200 / 250MHz -40~85C 16Mx8 P P Contact us
ステイタス1:P=製造中 S=サンプル UD=開発中。
ステイタス2:全てのウィンボンド製品は、ハロゲンフリー、RoHS指令に基づいたパッケージングです。詳細や仕様に関しては、データシートをご参照ください。

Technical Documentation

Resources

Product Brief

Specialty DRAM and Mobile DRAM

Tags -
  • File Type:pdf
  • Updated:27/05/2020
Video

Ultra Low Power DRAM A “Green” Memory in IoT Devices

  • File Type:Video
  • Updated:11/12/2018
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