-
スペシャリティDRAM
Specialty DRAM
ウィンボンドの<span class="match">DRAM</span>製品は、モバイルRAM、スペシャルティ<span class="match">DRAM</span>があります。スペシャルティ<span class="match">DRAM</span>は、低・中容量に焦点を当てており、高性能・高速度という特性を誇り、コンシューマ、通信、コンピュータ周辺機器、産業用機器、および車載の各市場で広く採用されており、完成されたソリューションをお客様に提供することができます。SDR、DDR、DDR2、およびDDR3は、AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001の認証を受けており、また、産業用機器・車載の各用途をサポートしています。また、SiPパッケージボンディングおよびパワー・サーマル、<span class="match">DRAM</span>シミュレー...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/specialty-dram/index.html?__locale=ja
-
モバイルDRAM
Mobile DRAM
ウィンボンドは、コンシューマ、コンピュータ、通信及びその他電子製品に、半導体ソリューションを提供する有数のメーカーです。これまでに、IDD電流値の低いモバイル<span class="match">DRAM</span>を開発していますが、現在はモバイル用<span class="match">DRAM</span>メモリを、モバイルフォンやタブレットのみならず、一般消費者向けモバイル製品や通信の分野へと拡大しています。弊社のモバイル<span class="match">DRAM</span>デバイスは、データ幅としてはx16とx32の両方をサポートしており、主な特長としては、シーケンシャルバーストあるいはインターリーブバースト、高いクロック速度、標準的なセルフリフレッシュ、パーシャル・アレイ・セルフリフレッシュ(PASR)、温度センサによるセルフリ...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/mobile-dram/index.html?__locale=ja
-
GP-Boost® DRAM for AI Applications
https://www.winbond.com/hq/support/online-learning/video-item/GP-Boost-DRAM-for-AI-Applications
-
エルピーダとウィンボンドがDRAM製造パートナーシップを結成
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
0.13umトレンチDRAMテクノロジを採用した富士通 - 東芝DRAM開発プログラムに参加
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
独自開発の46nmプロセス技術によるDRAM製品の量産
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
独自開発の38nmプロセス技術によるDRAM製品の量産
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
80nm DRAMプロセス技術移転に関しQimonda社と戦略的提携を締結
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
自社開発の38nmプロセス技術によるDRAM製品の検証に成功
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
ウィンボンド・エレクトロニクスの高性能と低消費電力1Gビット LPDDR3 DRAMがTsing Microの新しいAI画像処理SoCに搭載
News
Tsing Microは、ウィンボンドの1Gビット LPDDR3をシングルSiPに搭載したAIプロセッサ、TX510を発売 最大1.2T(Int8)の性能を誇り、生体認証および3DセンシングアプリケーションをリードするSoC「TX510」を、1866Mビット/秒の帯域幅を持つウィンボンドの<span class="match">DRAM</span>がサポート 台湾台中市 – 2020年12月16日 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは本日、高性能・低消費電力かつ高帯域幅メモリであるのウィンボンド1Gビット LPDDR3 <span class="match">DRAM</span>が、Tsing Micro社の最新AI(人工知能)So...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-1gb-lpddr3-in-tsing-micro-new-ai-image-processing-soc.html?__locale=ja
-
ICバウンダリスキャンテクノロジーによるSoCとDRAMの接続:モバイルDRAMのコスト削減を実現
Technical Article
電子機器に複雑なアプリケーションが組み込まれるにつれて、ICに期待されるスループットも高まりつつありますが、ウィンボンドはクロックの高速化やI/Oを追加することでこの課題をクリアしました。今回は、このテーマについて解説します。通常高クロックでは、クロストーク、EMI(電磁干渉)などのシグナルインテグリティ(SI/信号保全性)の問題が発生します。この現象はクロックスピードが上昇し続けることで急激に悪化します。一方、I/Oを追加することで、それらの問題を回避し多くのデータを同時に送受信することが可能になります。 図1:今日の<span class="match">DRAM</span>周辺環境 スループットを向上させるためにデータパスを広げることは一...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/connection-between-soc-and-dram-with-ic-boundary-scan-technology.html?__locale=ja
-
自社開発の25nmプロセス技術によるDRAM製品の量産を開始
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
自社開発の25nmプロセス技術によるDRAM製品の検証と量産化に成功
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
65nm埋め込みワードラインDRAM技術移転に関しQimonda社と戦略的提携を締結
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
-
Infineon Technologies社と、0.11ミクロンDRAMテクノロジの譲渡に関する戦略的提携を締結
Other
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/company-profile/milestones/?__locale=ja
トップページ>
検索
検索
キーワードの捜索結果“ DRAM ”, 531 項目の結果