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利基型动态随机存取内存
Specialty DRAM
华邦电子<span class="match">DRAM</span>产品组合包括移动动态随机存取内存,利基型动态随机存取内存。其中利基型动态随机存取内存,专注中低密度,以高性能和高速度的特点,成为在消费,通信,计算机周边,工业和汽车市场被广泛地使用的领导品牌。完整的动态随机存取内存解决方案经过AEC-Q100,TS16949,ISO9001/14001,OHSAS18001认证,可提供给工业,汽车和其他的客户应用。华邦并为KGD的客户提供,包括SIP封装粘接和电源/功耗,电性仿真,硅片级速度测试...等等专业意见。 Product Category Specialty <span class="match">DRAM</span> Density Voltages Data Width S<span class="match">DRAM</span>...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/specialty-dram/index.html?__locale=zh
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华邦推出256Mb之LowPower DRAM
News
华邦电子针对行动装置应用特性,推出一系列低功率动态内存 (Low Power <span class="match">DRAM</span>) ,于本次eMEX 2006展中所展出即为一款容量256Mb 之 Low Power <span class="match">DRAM</span>,W988D6E / W988D2E产品重要诸元, W98 系列 LPSDR S<span class="match">DRAM</span> (Single Data Rate Synchronous <span class="match">DRAM</span> ) 符合JEDEC 标准 容量256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作电压 / 输出入电压︰1.8V 主频率133MHz LP SDR/DDR 将成主流: 近年来手机市场成长的主要动力,除了新技术与平台的...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-releases-256mb-low-power-dram-at-emex-2006.html?__locale=zh
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GP-Boost® DRAM for AI Applications
https://www.winbond.com/hq/support/online-learning/video-item/GP-Boost-DRAM-for-AI-Applications
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日本尔必达公司与华邦电子结盟DRAM制造合作关系
News
(台湾台中及日本东京讯) 华邦电子股份有限公司与日本动态随机存取内存(<span class="match">DRAM</span>)领导供货商-尔必达内存公司,于今日共同宣布签订<span class="match">DRAM</span>合作备忘录(MOU),华邦公司将为尔必达公司制造<span class="match">DRAM</span>产品,双方为未来的业务合作迈出稳健的第一步。 该合作备忘录之内容是华邦提供GDDR3 和GDDR5绘图内存产品给尔必达公司之相关合作事项。于此合作协议之前,双方已在推动GDDR3和GDDR5的商品化上共同合作。该产品华邦公司预计于2009年底前展开商业化生产,尔必达公司则预计于2010年上半年开始向华邦购买。 此项的签署,使得双方业务合作关系因而更进一步。根据合作协议,尔必达公司将提供其<span class="match">DRAM</span>相关先进技术...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/news00061.html?__locale=zh
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与日本尔必达公司结盟DRAM制造合作关系
Other
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华邦电子推出出低功率动态内存-256Mb之Low Power DRAM
News
华邦电子针对行动装置应用特性,推出一系列低功率动态内存 (Low Power <span class="match">DRAM</span>) ,于本次 IIC 2007 展中所展出即为一款容量 256Mb 之 Low Power <span class="match">DRAM</span> , W988D6E / W988D2E 产品重要诸元, W98 系列 LPSDR S<span class="match">DRAM</span> (Single Data Rate Synchronous <span class="match">DRAM</span> ) 符合 JEDEC 标准 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作电压 / 输出入电压 : 1.8V 主频率 133MHz LP SDR/DDR 将成主流: 近年来手机市场成长的主要动力...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-unveils-256mb-low-power-dram.html?__locale=zh
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与日本东芝、富士通共同开发 0.13 微米沟槽式DRAM 制程技术
Other
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华邦电子与日本东芝株式会社缔结技术开发合作协议
News
(台北讯)>台湾第一大自有品牌半导体制造公司─华邦电子股份有限公司今日对外宣布与日本半导体大厂东芝株式会社(Toshiba)签署共同技术开发协议。根据协议,双方将共同开发新一代 0.13微米沟槽式(trench)的动态内存(<span class="match">DRAM</span>)技术,并应用于生产512M <span class="match">DRAM</span>的高阶产品。这项合作计划是自1995年12月华邦与东芝签订0.35微米之<span class="match">DRAM</span>技术移转合约后,双方第一次以「共同合作开发」结盟,此举不仅显示华邦在<span class="match">DRAM</span>生产技术的实力与世界大厂并驾齐驱,亦揭示华邦联盟全球菁英以快速跃升竞争力的布局与雄心。 基于市场演变而产生的技术需求,以及在合作上互惠互利的关系,华邦与东芝双方将合力开发新一...
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华邦与德国亿恒公司签订DRAM策略联盟备忘录
News
(台北讯)华邦电子股份有限公司与德国亿恒科技公司 (Infineon Technologies AG)于3月11日共同宣布签订0.11微米制程的动态内存(<span class="match">DRAM</span>)合作备忘录(MOU)。在双方首度合作的备忘录中,华邦经由亿恒科技的技术授权,将提供以0.11微米制程技术生产的规格化<span class="match">DRAM</span>产品给亿恒科技,预计2003年第一季将在华邦八吋厂投片生产。这项合作将令华邦在动态内存的技术上,与世界级大厂同步。 华邦电子总经理章青驹表示:「这项合作显示了华邦积极与全球半导体大厂进行联盟合作的策略,以提供客户更先进的内存产品。这次合作也是华邦将内存产品组合由规格化的<span class="match">DRAM</span>逐渐转为利基型<span class="match">DRAM</span>及闪存产品的...
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大规模物联网连接数量增加3倍,物联网设备系统设计应考虑哪些因素?
Technical Article
2020年,大规模物联网技术NB-IoT和Cat-M继续在全球部署。到 2020 年底,大规模物联网应用的数量将达到约 1 亿。根据 Ericsson 预估,到 2025 年底,NB-IoT 和 Cat-M 将占所有蜂窝物联网连接的52%。 物联网应用设计考虑因素 为了在市场上获得更广泛采用,物联网应用必须满足各种设计考虑因素,例如低成本、低功耗和运算效率。尤其对于电池供电的设备(例如智能喇叭和智能电表)而言,除了丰富的物联网功能和易于使用的人机接口,电池寿命也成为产品成功与否的关键,因此低功耗因素变得越来越重要。为了延长电池寿命,除了使用低功耗 MCU,还应考虑其他低功耗的周边组件。 图 1...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/what-is-the-best-dram-choice-for-iot-applications.html?__locale=zh
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自主开发 46奈米 DRAM制程技术量产
Other
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自主开发38奈米DRAM制程技术验证成功
Other
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移动随机存取内存
Mobile DRAM
华邦电子公司是提供消费电子,计算器,通信,电子产品市场的半导体解决方案之领导厂商。华邦所开发的移动随机存取内存具有低电流值,有助于华邦除了供应手机和平板计算机市场的移动随机存取内存应用外,更扩展到移动消费电子和移动通信领域。华邦移动随机存取内同时支持x16和x32数据带宽。对于下表中所示的产品系列之主要功能包括:连续或间隔数据串,高速,标准自我刷新,区域数组自我刷新(PASR),自动温度补偿自我刷新(ATCSR),深度睡眠省电模式(DPD),和可程序化的驱动输出。请参阅规格说明书之特定功能。这些功能对于可携式多媒体播放器,穿戴装置,汽车电子应用,消费性电子产品,游戏设备,和移动装置是相当理想的...
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华邦电子、日本东芝株式会(Toshiba)与富士通(Fujitsu)缔结技术开发合作联盟
News
(台北讯) 华邦电子股份有限公司、日本东芝株式会社(Toshiba)及富士通(Fujitsu)三家公司共同宣布,即日起华邦加入东芝及富士通的技术开发联盟之列。这项耗资300余亿日圆的技术开发联盟源起自1999年1月,原本由东芝与富士通两家半导体大厂发起,主要目标为开发0.13微米先进<span class="match">DRAM</span>制程技术;今邀请华邦加入该联盟的共同开发行列,三方将合力把制程推升至更新一代0.11微米。未来三家公司将结合各自丰沛的优势与资源,朝向2001年年生产1Gb 0.13微米堆栈式(STACK)<span class="match">DRAM</span>的目标前进,以0.11微米生产的1Gb <span class="match">DRAM</span>也预计在2002年年底推出。 近年来<span class="match">DRAM</span>产品激烈的削价竞争...
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第一颗自主开发之38 奈米DRAM产品进入量产
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