华邦电子于本次eMEX 2006展中推出目前市场上最大容量的Pseudo SRAM，W968D6B产品重要诸元，
- W96 系列 Pseudo SRAM
- 符合 CellularRAM 1.5G 标准
- 容量 256 Mb (16M x 16)
- 低工作电压 / 输出入电 压︰ 1.8V
- 频率高达 133MHz
Pseudo SRAM 已成主流：
因手机的功能日异月新，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、JAVA 游戏下载、数字相机模块搭载…等，使得手机的内存中的 RAM buffer 需要量大增。并且内存容量须求的提升，促使 Pseudo SRAM 成为数据暂存部份，不可或缺的内存，近年来更是彻底取代传统6T SRAM在手机上的地位。Pseudo SRAM 具有大内存容量、低成本、高的频率速度、低功率消耗的优点。在许多通信应用领域，现在需要成本更低、容量更大的低功率内存。而未来的Pseudo SRAM产品将会以更具吸引力的价格，提供更大容量和更低功率，满足这些市场的需求。
低成本 (Cost over Mb) ：
Pseudo SRAM 是由 DRAM macro core + SRAM Interface之架构所组成。 DRAM macro core 是采取传统 DRAM 为核心，memory cell 由1 Transistor + 1 Capacitor 所组成；SRAM Interface 则设计与传统 SRAM 特性兼容的架构。Pseudo SRAM 设计了一个 on-chip refresh circuit，外接的接口则采用 SRAM 的接口，以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。在制程上 Pseudo SRAM 可以使用现有的 DRAM 的制程，记忆体的大小已可缩小至 110 nm 及90 nm 的制程，大幅降低 Pseudo SRAM 的成本，低成本 (Cost over Mb) 已成为 Pseudo SRAM 的最主要的利器。
Pseudo SRAM 具有下列的特色：
- 大的内存容量 ( 16 Mb ~ 256 Mb)
- 高的频率速度 (133 MHz)
- 较小的 Die size (1T Cell)
- 较低的 Power consumption
- 相容于 DRAM 的制程
- On-chip refreshing circuit 针对 DRAM 记忆体中的电容器需要被周期性地充电以保持数据完整, 降低使用者在设计上的困扰。
业界标准：
Pseudo SRAM 在现行市场中有三个标准，除韩国三星电子自有标准及日系厂商采用COSMO外，市场上最风行为CellularRAM 联盟的CRAM 1.0G/1.5G/2.0G. 华邦电子Pseudo SRAM 产品规格含盖COSMO 及CRAM，产品线完整。 (华邦电子现为CellularRAM 成员之一。)
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