華邦電子於本次eMEX 2006展中推出目前市場上最大容量的Pseudo SRAM，W968D6B產品重要諸元，
- W96 系列 Pseudo SRAM
- 符合CellularRAM 1.5G 標準
- 容量256 Mb (16M x 16)
- 低工作電壓 / 輸出入電壓︰1.8V
- 頻率高達133MHz
Pseudo SRAM 已成主流：
因手機的功能日異月新，新的功能陸續的推出，如彩色圖片瀏覽、JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…等，使得手機的記憶體中的 RAM buffer 需要量大增。並且記憶體容量須求的提昇，促使 Pseudo SRAM 成為資料暫存部份，不可或缺的記憶體，近年來更是徹底取代傳統6T SRAM在手機上的地位。
Pseudo SRAM 具有大記憶體容量、低成本、高的時脈速度、低功率消耗的優點。在許多通信應用領域，現在需要成本更低、容量更大的低功率記憶體。而未來的Pseudo SRAM產品將會以更具吸引力的價格，提供更大容量和更低功率，滿足這些市場的需求。
低成本 (Cost over Mb)：
Pseudo SRAM 是由 DRAM macro core + SRAM Interface之架構所組成。 DRAM macro core 是採取傳統 DRAM 為核心，memory cell 由1 Transistor + 1 Capacitor 所組成；SRAM Interface 則設計與傳統 SRAM 特性相容的架構。Pseudo SRAM 設計了一個 on-chip refresh circuit，外接的介面則採用 SRAM 的介面，以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。在製程上 Pseudo SRAM 可以使用現有的 DRAM 的製程，記憶体的大小已可縮小至 110 nm 及90 nm 的製程，大幅降低 Pseudo SRAM 的成本，低成本 (Cost over Mb) 已成為 Pseudo SRAM 的最主要的利器。
Pseudo SRAM 具有下列的特色：
- 大的記憶體容量 ( 16 Mb ~ 256 Mb)
- 高的時脈速度 (133 MHz)
- 較小的 Die size (1T Cell)
- 較低的 Power consumption
- 相容於 DRAM 的製程
- On-chip refreshing circuit 針對 DRAM 記憶体中的電容器需要被週期性地充電以保持資料完整, 降低使用者在設計上的困擾。
業界標準：
Pseudo SRAM 在現行市場中有三個標準，除韓國三星電子自有標準及日系廠商採用 COSMO 外，市場上最風行為 CellularRAM 聯盟的 CRAM 1.0G/1.5G/2.0G. 華邦電子 Pseudo SRAM 產品規格含蓋 COSMO 及 CRAM ，產品線完整。 ( 華邦電子現為 CellularRAM 成員之一。 )
產品連絡人
陳盛福 先生
Email ：SFChen1@winbond.com
TEL ： 886-3-5678168 ext 6680