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華邦電子與日本東芝株式會社締結技術開發合作協議

(台北訊)台灣第一大自有品牌半導體製造公司─華邦電子股份有限公司今日對外宣佈與日本半導體大廠東芝株式會社(Toshiba)簽署共同技術開發協議。根據協議,雙方將共同開發新一代 0.13微米溝槽式(trench)的動態記憶體(DRAM)技術,並應用於生產512M DRAM的高階產品。這項合作計劃是自1995年12月華邦與東芝簽訂0.35微米之DRAM技術移轉合約後,雙方第一次以「共同合作開發」結盟,此舉不僅顯示華邦在DRAM生產技術的實力與世界大廠並駕齊驅,亦揭示華邦聯盟全球菁英以快速躍升競爭力的佈局與雄心。 

基於市場演變而產生的技術需求,以及在合作上互惠互利的關係,華邦與 東芝雙方將合力開發新一代更高容量的DRAM產品,將製程推升至0.13微米。華邦電子DRAM產品事業群執行副總邱光一表示:國際策略聯盟是DRAM產業發展必行之路,華邦近幾年來與東芝已建立了良好的合作模式,彼此保持技術與產能支援的互惠的關係,從1995年起的0.35微米技術移轉合作,成功的歷經三個世代的製程。如今協議共同開發第四代0.13微米製程的技術結盟,證明華邦多年來在DRAM領域中的努力已建立起優異的開發製造能力,其精進的製程技術與研發水準深獲東芝認同。去年底更成功產出全台第一顆、全球第四顆0.175微米製程的256M DRAM,使華邦DRAM技術躋身於世界級大廠之林。未來雙方在技術、資金、人力與智權等豐富資源的整合下,將使DRAM製程技術提升至更新的格局。 

這項研發工作地點均在日本東芝的DRAM製造中心,研發團隊則由這兩家公司分別派高手組成,目的在使兩公司日後都有能力在各自的工廠實際生產。華邦預計此項開發之產品將於2001年第4季在該公司四、五廠生產,產品種類以512M 高階DRAM為主。另外,雙方未來亦將運用此項先進的製程技術於非DRAM產品的設計、開發與製造。 

華邦係以領先的超大型積體電路產品設計、製造技術為基礎,生產銷售高品質和具有特色的自有產品,成為擁有自主性技術和豐富產品解決方案的世界級半導體企業,未來將持續與國際性公司進行策略聯盟合作,以打造華邦在全球積體電路及相關領域的競爭力。 


 
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