(2018年2月27日紐倫堡, 德國/台灣台中訊) 華邦電子的高品質NAND型快閃記憶體為汽車系統製造商提供更高容量的編碼型快閃記憶體解決方案-用以取代製程技術達微縮瓶頸的NOR型快閃記憶體。
全球半導體存儲解決方案領導廠商-華邦電子，今日發布了新世代NAND型快閃記憶體系列產品，可提供容量達512Mb以上的高品質編碼型快閃記憶體解決方案。
華邦電子新推出的車規級SLC（單層式）HQ（高品質）串列式NAND型快閃記憶體，為汽車系統製造商在日趨複雜的應用系統(如：自動駕駛系統)中提供高容量且低成本的編碼儲存解決方案。
華邦電子透過新的生產及測試流程解決常發生在傳統NAND型快閃記憶體的位元錯誤問題，使此編碼儲存方案成為更好的選擇。不同於其他消費型NAND型快閃記憶體供應商使用1x nm(奈米) or 2x nm(奈米)製程技術，華邦使用46nm(奈米)製程技術來確保其NAND型快閃記憶體的高可靠性及資料保存時間，使其品質能夠與當今市場上的NOR型快閃記憶體相當。
華邦電子保證其下所有新世代高品質串列式NAND型快閃記憶體系列產品在出貨時及100次擦寫次數內不會有壞塊出現。此外，華邦電子的高品質NAND型快閃記憶體在工作溫度高達85°C的情況下，在100次擦寫次數內可以達到至少25年的資料保存時間。此外，根據實驗數據，經過10000次擦寫次數後，依然可達到至少15年的資料保存時間，這使得車規級NAND型快閃記憶體能與NOR型快閃記憶體一樣易於使用在現今系統中。
華邦電子發布的新世代車規級高品質NAND型快閃記憶體，是對當今NOR型快閃記憶體製程技術微縮瓶頸所提出的回應方案。依據業界的，NOR型快閃記憶體製程技術的微縮普遍在65nm(奈米)後逐步趨緩並在45nm(奈米)上停滯。
在此同時，汽車製造商正在開發高密度計算型應用，如先進駕駛輔助系統（ADAS），自主駕駛系統和雷射雷達測距系統，這些新應用需要使用比傳統設計更高容量的編碼型快閃記憶體。這意味著如果汽車系統製造商繼續使用NOR型快閃記憶體，其零件的成本將急劇上升。
華邦電子的46nm(奈米)高品質NAND型快閃記憶體為這些應用提供了更低成本的編碼儲存方案。另外，華邦電子更持續在NAND型快閃記憶體上發展32nm(奈米)製程技術，使得未來能夠以更低的成本且能維持車規級的高品質。
華邦電子快閃記憶體行銷總監Syed Hussain 表示：NOR型快閃記憶體製程技術的微縮在45nm(奈米)以下難以實行且客戶對於高容量記憶體的需求仍不斷增長，造成使用NOR型快閃記憶體的成本不斷提升，而改用NAND型快閃記憶體可以解決此問題。華邦電子的NAND型快閃記憶體單位成本約是45nm(奈米) NOR型快閃記憶體的一半，且接下來所發展的32nm(奈米)製造技術將使NAND型快閃記憶體更具競爭力。
華邦電子提供完整的512Mb(64MB)和1Gb(128MB)的46nm(奈米) NAND型快閃記憶體解決方案。分別是操作電壓在1.8V的W25N512GW (512Mb)/W25N01GW(1Gb)系列與操作電壓在3V的W25N512GV (512Mb)/W25N01GV(1Gb)系列。
為了協助客戶能順利從容量256Mb(32MB)或以下的 NOR型快閃記憶體轉移到512Mb或1Gb NAND型快閃記憶體，NAND型快閃記憶體的引腳及封裝皆與NOR型快閃記憶體匹配。
華邦電子將在Embedded World 2018（德國紐倫堡，2月27日至3月1日）Arrow Electronics 的4A-340號展台向參觀者介紹新款車規高品質的NAND型快閃記憶體。
關於華邦
華邦電子股份有限公司為全球領先的記憶體解決方案供應商，總部設在臺灣臺中。華邦主要產品包括利基型動態隨機存取記憶體 (Specialty DRAM)、行動記憶體 (Mobile DRAM) 以及編碼型快閃記憶體 (Code Storage Flash Memory)，2017年記憶體事業群營收約為12.5億美金，在全球有近2,800名員工，於臺灣、香港、中國大陸、日本、以色列和美國皆設有據點。如需了解更多資訊，請至華邦電子公司網址: www.winbond.com。
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