(新竹訊)華邦電子股份有限公司對外宣佈該公司日前已經成功地完成以0.13微米技術應用在512M雙倍資料速率(DDR)動態隨機存取記憶體的基礎製程(base line)，且預期從2002年第一季開始提供客戶產品樣本，2002年第二季起將逐步進行量產。目前以該項開發製程在試產階段的產品良率表現非常好。
華邦公司表示，華邦派駐在日本和日本東芝株式會社(Toshiba)共同研發0.13微米溝槽技術的團隊在九月底返國後，隨即在華邦的八吋晶圓廠裡自行建立0.13微米製程技術，經華邦技術團隊自行調校製程處方，在既有的設備及製程經驗基礎上以512M SDR/DDR產品驗證成功。該項製程在DDR的技術開發上係目前國內最為領先的技術，在預期明年DDR產品將會成為市場的主流情況下，華邦的生產成本可更降低，產品可支援更高速率的匯流排(Bus)。512M也是國內最高的記憶體密度。
在DRAM的技術開發上，從目前的0.175微米提昇至0.13微米是製程上的較大突破障礙；從0.175微米至0.13微米, 每片晶圓產出的顆粒數增加百分之八十。
目前華邦在DDR上係以256M之DRAM為主，佔華邦總體DRAM晶圓產出約30%，明年第一季將提昇至70%；華邦除了積極佈局快閃記憶體Flash和類靜態記憶體Pseudo SRAM外，對於DRAM則逐步轉向以特殊用途之DRAM產品為主。
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