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华邦电子即将参加由Global Sources所主办的2008 IIC-China深圳(3/3-4 深圳会展中心)、上海(3/10-11 上海世贸商城)，届时也将展出华邦两大系列行动内存产品－低功率耗动态内存及虚拟静态内存，并推出一系列低功耗动态内存 512Mb Low Power DRAM。 低功率耗动态内存 近年来手机市场成长的主要动力，除了新一代 3G 传输标准之兴起，行动商务化平台的运转，及诸多影音多媒体技术的发展下，大大带动了中高阶机种换机潮的兴起。手机的功能日异月新，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、 JAVA 游戏下载、数字相机模块搭载…等，使得手机的内存中的 RAM Buff...

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华邦电子将于2007年9月5日至9月8日参加由台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA），商务部外贸发展事务局及杭州市人民政府共同举办的中国杭州电子信息博览会，于此会中将展出华邦两大系列行动内存产品－低功耗动态内存及虚拟静态内存。 手机的功能日新月异，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、 JAVA 游戏下载、数字相机模块搭载…，使得手机的内存中的 RAM Buffer 需要量大增。为因应大量低功耗内存之需要，华邦推出两大系列行动内存产品－低功耗动态内存及虚拟静态内存。 低功耗动态内存 近年来手机市场成长的主要动力，除了新一代 3G 传输标准之兴起，行动商务化平台的运转，及诸多影音多媒体技术的发展...

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华邦践行企业 ESG承诺，致力于在全球范围内解决环境和可持续发展问题 华邦已完成产品符合 LTS 低温锡膏焊接工艺所需的验证， 有效减少生产过程中的二氧化碳排放，简化并缩短 SMT 工艺流程，并降低生产成本 (2022-11-16台湾台中讯) – 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布其闪存产品生产线将正式导入新型低温锡膏焊接（Low Temperature Solder，简称LTS）工艺，将表面贴装技术（Surface Mount Technology，简称SMT）温度从无铅工艺的220~260°C降至190°C，有效减少生产过程中的二氧化碳排放。此外，通过采用LTS工艺，华邦还可大...

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(2018年11月13日慕尼黑, 德国/台湾台中讯) 华邦电子将于今年十一月在德国举办的慕尼黑电子展(electronica)会场中展出新一代超低功耗(Ultra Low Power)动态随机存取内存产品，其具备极低待机功耗与高效能的特性，适合使用于穿戴式装置 (Wearable & portable) 或 IoT相关应用上。 W948V6KBHX为搭载华邦电子推出最新深度自我刷新(Deep Self Refresh/DSR)技术之首颗产品，具有256Mb容量，并兼容于JEDEC的LPDDR标准。深度自我刷新技术较于传统同类型行动内存可节省约40%之待机功耗，大幅延长终端使用者体验。 使用电池...

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在今年2018的慕尼黑电子展，华邦电子也推出了适用于车用的NOR闪存新产品以及用于高于工规温度和高速的SPI NAND闪存。 (2018年11月13日慕尼黑, 德国/台湾台中讯) 领导全球半导体内存的厂商华邦电子今天宣布在SpiFlash® 内存产品的1.2V W25Q-ND系列，推出了省电的新产品能符合多种应用且有更高的储存容量。 W25Q64ND 是64Mb的容量，将在明年2019上半年提供客户样品。容量128Mb的产品也正在开发中，预计在明年2019底可提供客户样品。目前华邦电子已提供8Mb的W25Q80ND 1.2V SpiFlash样品供客户测试。 此系列1.2V SpiFlash产...

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华邦LPDDR SDRAM（低功耗单存取同步动态随机存取记忆体）产品系列的设计特定的功能以降低功耗，包括部分区域数组自我刷新（PASR），自动温度补偿自我刷新（ATCSR），省电模式，深度睡眠省电模式，和可程式化的驱动输出。 点击并搜寻产品相关规格 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们

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华邦LPSDR SDRAM（低功耗单存取同步动态随机存取记忆体）产品系列的设计特定的功能以降低功耗，包括部分区域数组自我刷新（PASR），自动温度补偿自我刷新（ATCSR），省电模式，深度睡眠省电模式，和可程式化的驱动输出。 点击并搜寻产品相关规格 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们

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华邦LPDDR2 SDRAM（低功耗双存取同步动态随机存取记忆体(第二代)）产品系列的设计特定的功能以降低功耗，包括部分区域数组自我刷新（PASR），自动温度补偿自我刷新（ATCSR），省电模式，深度睡眠省电模式，和可程式化的驱动输出。 点击并搜寻产品相关规格 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们 LPDDR LPDDR2 Data Rate 333~400Mbps 800~1066Mbps Density 128Mb~1Gb 256Mb~2Gb Interface LVCMOS compatible HSUL_12 Number of Banks 4 4/8 Pre-fetch 2 4 ...

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华邦电子针对行动装置应用特性，推出一系列低功率动态内存 (Low Power DRAM) ，于本次eMEX 2006展中所展出即为一款容量256Mb 之 Low Power DRAM，W988D6E / W988D2E产品重要诸元， W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合JEDEC 标准 容量256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作电压 / 输出入电压︰1.8V 主频率133MHz LP SDR/DDR 将成主流： 近年来手机市场成长的主要动力，除了新技术与平台的...

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High bandwidth and cost advantages For 1Gb x32 LPDDR3, it’s the alternative solution for developing high B/W (8.52GB/s) around 0.3W. This move will help Winbond further expand its product portfolio to respond to the diverse AIoT and ultra-high-resolution display application needs. SEARCH FOR THE PRO...

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产品系列是根据 JESD209-4 工业标准设计。 点击并搜寻产品相关规格 附注: 如果有KGD的需求, 请连络我们。

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华邦电子针对行动装置应用特性，推出一系列低功率动态内存 (Low Power DRAM) ，于本次 IIC 2007 展中所展出即为一款容量 256Mb 之 Low Power DRAM ， W988D6E / W988D2E 产品重要诸元， W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合 JEDEC 标准 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作电压 / 输出入电压 : 1.8V 主频率 133MHz LP SDR/DDR 将成主流： 近年来手机市场成长的主要动力...

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https://www.winbond.com/hq/support/documentation/downloadV2022.jsp?__locale=zh&xmlPath=/support/resources/.content/item/DA00-W25X10L-20L-40L-80L.html&level=1