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華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳(3/3-4 深圳會展中心)、上海(3/10-11 上海世貿商城)，屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品－低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體，並推出一系列低功耗動態記憶體 512Mb Low Power DRAM。 低功率耗動態記憶體 近年來手機市場成長的主要動力，除了新一代 3G 傳輸標準之興起，行動商務化平台的運轉，及諸多影音多媒體技術的發展下，大大帶動了中高階機種換機潮的興起。手機的功能日異月新，新的功能陸續的推出，如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…等，使得手機的記憶體中的 RA...

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華邦電子將於2007年9月5日至9月8日參加由台灣區電機電子工業同業公會（TEEMA），商務部外貿發展事務局及杭州市人民政府共同舉辦的中國杭州電子信息博覽會，於此會中將展出華邦兩大系列行動記憶體產品－低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體。 手機的功能日新月異，新的功能陸續的推出，如彩色圖片瀏覽、 JAVA 遊戲下載、數位相機模組搭載…，使得手機的記憶體中的 RAM Buffer 需要量大增。為因應大量低功耗記憶體之需要，華邦推出兩大系列行動記憶體產品－低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體。 低功耗動態記憶體 近年來手機市場成長的主要動力，除了新一代 3G 傳輸標準之興起，行動商務化平台的運轉，及諸多影...

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華邦落實企業 ESG 承諾，致力於解決全球環境及永續發展問題 華邦已完成產品符合 LTS 低溫錫膏焊接工藝所需的驗證， 有效減少生產過程中的二氧化碳排放，簡化並縮短 SMT 工藝流程，並降低生產成本 (2022-11-16臺灣台中訊) -- 全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子，今日宣佈其快閃記憶體產品生產線將正式進入新型低溫錫膏焊接 (Low Temperature Solder，簡稱LTS) 工藝領域，將表面貼裝技術 (Surface Mount Technology，簡稱SMT) 溫度從無鉛工藝的220~260°C降至~190°C，有效減少生產過程中的二氧化碳排放。此外，通過採用LT...

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(2018年11月13日慕尼黑, 德國/台灣台中訊) 華邦電子將於今年十一月在德國舉辦的 慕尼黑電子展(electronica) 會場中展出新一代超低功耗(Ultra Low Power)動態隨機存取記憶體產品，其具備極低待機功耗與高效能的特性，適合使用於穿戴式裝置 (Wearable & portable) 或 IoT相關應用上。 W948V6KBHX為搭載華邦電子推出最新深度自我刷新(Deep Self Refresh/DSR)技術之首顆產品，具有256Mb容量，並相容於JEDEC的LPDDR標準。深度自我刷新技術較於傳統同類型行動記憶體可節省約40%之待機功耗，大幅延長終端使用者體驗。 ...

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在今年2018的慕尼黑電子展，華邦電子也推出了適用於車用的NOR快閃記憶體新產品以及用於高於工規溫度和高速的SPI NAND快閃記憶體。 (2018年11月13日慕尼黑, 德國/台灣台中訊) 領導全球半導體記憶體的廠商華邦電子今天宣布在SpiFlash® 記憶體產品的1.2V W25Q-ND系列，推出了省電的新產品能符合多種應用且有更高的儲存容量。 W25Q64ND 是64Mb的容量，將在明年2019上半年提供客戶樣品。容量128Mb的產品也正在開發中，預計在明年2019底可提供客戶樣品。目前華邦電子已提供8Mb的W25Q80ND 1.2V SpiFlash樣品供客戶測試。 此系列1.2V S...

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華邦LPDDR SDRAM（低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體）產品系列的設計特定的功能以降低功耗，包括部分區域陣列自我刷新（PASR），自動溫度補償自我刷新（ATCSR），省電模式，深度睡眠省電模式，和可程式化的驅動輸出。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們

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華邦LPSDR SDRAM（低功耗單存取同步動態隨機存取記憶體）產品系列的設計特定的功能以降低功耗，包括部分區域陣列自我刷新（PASR），自動溫度補償自我刷新（ATCSR），省電模式，深度睡眠省電模式，和可程式化的驅動輸出。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們

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華邦LPDDR2 SDRAM（低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體(第二代)）產品系列的設計特定的功能以降低功耗，包括部分區域陣列自我刷新（PASR），自動溫度補償自我刷新（ATCSR），省電模式，深度睡眠省電模式，和可程式化的驅動輸出。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們 LPDDR LPDDR2 Data Rate 333~400Mbps 800~1066Mbps Density 128Mb~1Gb 256Mb~2Gb Interface LVCMOS compatible HSUL_12 Number of Banks 4 4/8 Pre-fetch 2 4 Burst Length...

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High bandwidth and cost advantages For 1Gb x32 LPDDR3, it’s the alternative solution for developing high B/W (8.52GB/s) around 0.3W. This move will help Winbond further expand its product portfolio to respond to the diverse AIoT and ultra-high-resolution display application needs. This move will hel...

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產品系列是根據 JESD209-4 工業標準設計。 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們。

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華邦電子針對行動裝置應用特性，推出一系列低功率動態記憶體 (Low Power DRAM) ，於本次 eMEX 2006 展中所展出即為一款容量 256Mb 之 Low Power DRAM ， W988D6E / W988D2E 產品重要諸元， W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合 JEDEC 標準 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作電壓 / 輸出入電 壓︰ 1.8V 主頻率 133MHz LP SDR/DDR 將成主流： 近年來手機市場成長的主要...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-releases-256mb-low-power-dram-at-emex-2006.html?__locale=zh_TW

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華邦電子針對行動裝置應用特性，推出一系列低功率動態記憶體 (Low Power DRAM) ，於本次 IIC 2007 展中所展出即為一款容量 256Mb 之 Low Power DRAM ， W988D6E / W988D2E 產品重要諸元: W98 系列 LPSDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous DRAM ) 符合 JEDEC 標準 容量 256 Mb (4M x 4 bank x 16, 2M x 4 bank x 32) 低工作電壓 / 輸出入電 壓︰ 1.8V 主頻率 133MHz LP SDR/DDR 將成主流： 近年來手機市場成長的主要動...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-unveils-256mb-low-power-dram.html?__locale=zh_TW

https://www.winbond.com/hq/support/documentation/downloadV2022.jsp?__locale=zh_TW&xmlPath=/support/resources/.content/item/DA00-W25X10L-20L-40L-80L.html&level=1

Winbond is offering a new way to extend the power savings available from Partial Array Self-Refresh (PASR), which was already specified in the JEDEC standard by implementing a new Deep Self-Refresh (DSR) mode. DSR operates in a similar way to PASR at <span class="match">low</span> data rates, allocating used data to one or mo...

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