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Winbond Product Longevity Program
AutomotiveProduct Brief
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華邦電子成為全球首家獲得ISO/SAE 21434道路車輛網路安全管理體系認證的記憶體廠商
News
(2022-08-31臺灣台中訊)—— 全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子今日宣佈,通過TÜV NORD 頒發的ISO/SAE 21434 道路車輛網路安全管理系統認證後,華邦現已成為全球首家獲得該資格的記憶體廠商。 ISO/SAE 21434概述了汽車從概念、開發、生產、使用和報廢過程中所需的安全標準,要求汽車系統應具備更強的資訊安全功能以抵禦網路攻擊。ISO/SAE 21434適用於微型電腦及其元件,並要求汽車行業採用滿足該標準的零組件,以提供足夠的網路安全防護。因此,許多汽車製造商及其零件供應商都將通過ISO/SAE 21434 認證作為強制標準,以有效改善車輛對網路威脅的管理能力...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond_memory_vendor_ISO_SAE_21434_certification_road_vehicles_cybersecurity_management_System.html?__locale=zh_TW
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快閃記憶體 - NAND Based MCP
NAND Based MCP
多晶片封裝(MCP)系列產品是將1.8V的NAND記憶體和1.8V的低功耗DRAM合封於同一個封裝中。兩顆晶片合封在同一個封裝中的好處是能夠節省電路板的面積,進而降低整個系統的成本。在很多非常在意系統空間的應用中,例如手機和一些可攜式裝置,這種能讓電路板面積縮小的多晶片封裝,就顯得更有優勢。 點擊並搜尋產品相關規格 自有DRAM和SLC NAND記憶體生產、製造技術 華邦是一間擁有DRAM和Flash獨力設計、生產並銷售的公司。換言之,從產品設計,生產製造到市場銷售都是自有品牌並無假手他人的公司,因此能向全世界穩定提供最好最優質的中低容量記憶體產品。 自有12吋晶圓廠 華邦用自有的12吋廠來專...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/index.html?__locale=zh_TW
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華邦電子W77Q安全快閃記憶體獲得ISO/SAE 21434認證,成為首家獲得該認證的記憶體供應商
News
(2023-08-08臺灣台中訊)——全球半導體記憶體解決方案領導廠商華邦電子今日宣布,TrustME® W77Q安全快閃記憶體系列已獲得權威認證——ISO/SAE 21434。華邦電子現已成為全球首家獲得此認證標準的記憶體供應商。 ISO/SAE 21434 標準全名為 ISO/SAE 21434 (道路車輛 - 資訊安全工程)標準,是由ISO(國際標準組織) 和 SAE International (美國汽車工程師學會)制定的行業標準。其旨在透過規範要求,確保汽車系統免受網路攻擊,以保護道路使用者。本標準適用於成品車輛以及相關網路安全,包括IC等子元件。除此之外,要通過GSR獲得歐盟形式批...
https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/2023_0808_iso_sae_21434_winbond_w77q_certification_memory_vendor.html?__locale=zh_TW
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第四代與其延展版低功耗動態隨機存取記憶體在車輛應用解決方案
Technical Article
半導體在車輛內應用趨勢 日本宣布在即將來臨的東京奧運會展示其無人駕駛技術,為近年來汽車智慧化的具體展現。透過第五代行動通訊(5G)與人工智慧(AI)的幫助,資通訊界正朝自動駕駛車的目標努力。資通訊技術在車內的應用已經從早期的娛樂影音播放以及導航系統,慢慢加入目前正發展的深度學習與車間通訊(V2X)以達到最終無人駕駛的目標。但要達到此目標,無論哪一種資通訊技術,半導體無疑是背後主要的推力。 先進駕駛輔助系統(ADAS)是目前在車用資通訊環境中最普遍應用之一,其基本上由許多子功能所組成,包括主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監控系統等。車輛製造商長期以來一直試著添加更多主動式安全保護...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/automotive-solution-on-low-power-dram.html?__locale=zh_TW
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嵌入式系統開發商採用Serial NAND Flash做為AI系統儲存記憶體的優勢
Technical Article
對於人工智慧 (AI) 帶來的創新潛能,各個市場領域的嵌入式系統開發商皆展現濃厚興趣。但其實若就「創新」角度來看,似乎顯得有點奇怪,畢竟AI的基礎技術本身並非嶄新概念:植基在IBM的超級電腦 “深藍(Deep Blue)” 的AI系統早在1997年就擊敗了西洋棋世界冠軍Garry Kasparov。 儘管如此,在此重大突破後的20年來,推展各種AI技術的進程卻相當緩慢。這些技術直到2010年代後期才被整合,使得AI躋身嵌入式系統發展的主流技術之列,而此推展之路由於兩大因素變得平順許多:第一是業界可取得採用大量感測器的物聯網系統所產生的龐大訓練資料庫;還有透過YouTube、Instagram、...
https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/why-embedded-developers-are-considering-serial-nand-in-ai.html?__locale=zh_TW
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行動記憶體 - 低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體
LPDDR SDRAM
華邦LPDDR SDRAM(低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體)產品系列的設計特定的功能以降低功耗,包括部分區域陣列自我刷新(PASR),自動溫度補償自我刷新(ATCSR),省電模式,深度睡眠省電模式,和可程式化的驅動輸出。 點擊並搜尋產品相關規格 附註: 如果有KGD的需求, 請連絡我們
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W25Q80NE
8M-bit 1.2V Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI 產品特點 Dual/Quad Serial Peripheral Interface Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks 4,096 pages (256 bytes) Single/Dual/Quad Fast Read instructions 8/16/32/64byte wrap around for Fast Read Dual/Quad I/O instru...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/1.2v-serial-nor-flash/item/W25Q80NE.html?__locale=zh_TW
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W71NW10GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GC1DW.html?__locale=zh_TW
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W71NW10GC3DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GC3DW.html?__locale=zh_TW
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W71NW10GE3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x8 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 ...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GE3FW.html?__locale=zh_TW
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W71NW10GF3FW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 產品特點 W29N01GZ NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : X8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:2,112 bytes (2048 + 64 b...
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W71NW11GC1DW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR1 產品特點 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...
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W71NW11GE1EW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 產品特點 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32...
https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GE1EW.html?__locale=zh_TW
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W71NW11GF1EW
1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 產品特點 W29N01GW NAND Flash Memory Basic Features Density : 1Gbit (Single chip solution) Vcc : 1.7V to 1.95V Bus width : x16 Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C Single-Level Cell (SLC) technology. Organization Density: 1G-bit/128M-byte Page size:1,056 words(1024 +32 w...
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