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  • ウィンボンド・エレクトロニクス、2Gb NAND + 2Gb LPDDR4xのマルチチップパッケージをリリース- 5G CPEモデムの本格展開をサポート

    不揮発性フラッシュとハイスピードDRAMの組み合わせによる新製品 W71NW20KK1KW は、コストやメモリ容量の点でスタティックな5Gモデムアプリケーションに最適です。 (台湾台中市-2019年6月18日)-半導体メモリソリューションの世界的サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、1.8V 2Gb NANDフラッシュと1.8V 2Gb LPDDR4xをコンパクトな8.0mm x 9.5mm x 0.8mmのマルチチップパッケージ(MCP)に搭載した製品を発表しました。 ロバストなシングルレベルセル(SLC)NANDフラッシュとハイスピードで低電力のLPDDR4x DRAMを組み合...

  • ウィンボンド・エレクトロニクス、ニッチ市場をターゲットとするモバイルメモリシリーズのLPDDR4xを発売

    台湾台中市-2019年9月12日 --人工知能(AI)、超高解像度ディスプレイ、5Gモバイル通信、IoTなどの新技術の推進により、さまざまな種類の新たなアプリケーションが出現しています。先進運転支援システム(ADAS)、スマートスピーカー、8Kテレビ、5G携帯電話、セキュリティ監視システムなどが私たちの生活に取り入れられつつあります。多くの場合、これらのアプリケーションは、全体的なパフォーマンスを向上させ優れたユーザーエクスペリエンスを実現するために、低消費電力で高バンド幅、さらに優れたデータ転送機能をもつメモリ製品を必要とします。 ウィンボンド・エレクトロニクスは長年にわたりニッチメモリ製品...

  • W978HxK verilog model for Winbond official website

  • W948D6KKM protected verilog model

  • W948D6KB protected verilog model

  • ウィンボンド electronica 2018カンファレンスにて新世代の超低消費電力モバイルDRAMソリューションを発表

    ウィンボンド・エレクトロニクスは今年11月にドイツで開催されるelectronica 2018で新世代の超低電力(ULP/Ultra low power)DRAMを発表する予定です。本製品は超低消費電力で高性能なため、ウェアラブルおよびポータブルデバイスや、IoTアプリケーションに適しています。 W948V6KBHXは最新のディープセルフリフレッシュ(DSR)テクノロジを搭載したウィンボンド社が初めて発表する製品です。256Mバイトの容量で、JEDEC規格のLPDDRと互換性があります。従来のモバイル機器のメモリと比べ、DSRテクノロジはスタンバイ電力消費量が40%低減され、バッテリ寿命を大幅...

  • モバイルDRAM - Low Power DDR SDRAM

    ウィンボンドが提供するLPDDR SDRAM(低出力DDR SDRAM)ファミリは、パーシャル・アレイ・セルフリフレッシュ(PASR)、温度センサによるセルフリフレッシュの最適化(ATCSR)、パワーダウン・モード、ディープ・パワーダウン・モード、プログラマブルなドライバ・ストレングスなど、多彩な低消費電力機能を搭載しています。 注:KGDに関するご用命は、こちらにご連絡ください。

  • モバイルDRAM - Low Power DDR2 SDRAM

    ウィンボンドが提供するLPDDR2 SDRAM(低出力DDR2 SDRAM)ファミリは、パーシャル・アレイ・セルフリフレッシュ(PASR)、温度センサによるセルフリフレッシュの最適化(ATCSR)、パワーダウン・モード、ディープ・パワーダウン・モード、プログラマブルなドライバ・ストレングスなど、多彩な低消費電力機能を搭載しています。 注:KGDに関するご用命は、こちらにご連絡ください。

  • W66BQ6NKM LPDDR4X protect verilog model

  • W66BP6NKM LPDDR4 protect verilog model

  • W63CHXMBV protect verilog model

  • W66BQ6N W66CQ2N protected verilog model

  • W97BV2MB W97BV6MB protected verilog model

  • W66BP6N W66CP2N proetcted verilog model

  • W63AH2NB W63AH6NB protected verilog model

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