ピン互換性により異なるハードウェアプラットフォーム間でフットプリントを変更することなく、コードストレージフラッシュの容量を最小16Mビットから最大2Gビットまで選択可能
新しいシングルダイNORフラッシュW25Q512NWは、すでに各国のお客様により採用され少量生産を開始、2021年後半には量産開始予定
ウィンボンドの自社設計および製造能力を活かし、世界中のお客様へ大量供給と継続的なサポートを確約
台湾台中市発–2021-06-17–半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクスは本日、最大166MHzのクロックでシングル/デュアル/クアッドSPIをサポートする、シングルダイモノリシック1.8V 512Mビット SPI NORフラッシュを発売し、SPI NORフラッシュのトータルソリューションを拡大することを発表しました。
既存の3V 512Mビット品であるW25Q512JVに加え、この新しい1.8VのW25Q512NWのSPI NORフラッシュもピン互換性を提供するため、お客様は基盤のフットプリントを変更することなく、より高容量のフラッシュストレージにアップグレードすることができます。これにより、お客様は単一のフラッシュプラットフォームを確保することで、製品寿命の延長、市場投入までの時間短縮、開発時間と労力の削減が可能になります。
ウィンボンドは次のように述べています。「新興の5Gアプリケーションでは、高品質かつ高容量のSPI NORフラッシュが必要とされています。当社のSPI NORフラッシュW25Q512NWは、これらの要件をすべて満たしているだけでなく、最小容量から最大容量まで上位互換性と下位互換性を備えたソリューションとなっています」。
W25Q512NWの利点：
W25Q512NWは最大 166MHzのSDR と80MHzのDDR の高速読み取りをサポートし、QPIモードによるXIP (eXecute In Place)や高速起動を実現できます。またダイスタックにより最大2Gビットまで容量の拡張が可能、かつダイスタック品は、Read-While-Write機能によりパフォーマンスが向上します。2ダイスタック品は、読み取り操作を中断することなく、また、予期せぬ電源断停電が発生した場合においても、既存のファームウェアはそのままでOTA(Over-The-Air)中の書込み操作を可能とし、高速で安定したシステムファームウェアアップデートを提供します。
W25Q512NWのターゲットアプリケーション：
W25Q512NWの既存製品との互換性は、5Gモデム、5Gコンピューティング、クラウドサーバー、光ファイバーモデム、スマートIoTなど、通常2年ごとにコードストレージ用フラッシュ容量が2倍に増加するような製品設計をしているお客様にとって、画期的なものです。またお客様のソフトウェア開発チームは、互換性を持つコードストレージ用フラッシュメモリの最大容量の増加に伴い、複数の新機能セットを備えた製品を開発することができます。
ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージフラッシュメモリ、およびTrustME®セキュアフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および建設中の高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。
製品窓口
神永 雄大
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
マーケティング＆FAE部
フラッシュメモリグループ統括部長代理
TEL: 045-478-1883
E-mail: eito@winbond.com
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ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
マーケティング＆FAE部
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