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W25QxxNDシリーズの<span class="match">1.2V</span>品は、一般的な3Vおよび1.8Vファミリのシリアルフラッシュと同等の性能にて、消費電力を節約できます。これらは、スペースの限られたバッテリ駆動アプリでも使いやすい2mm×3mmのUSON8、150milのSOP8,　6x5mmのWSON 8ピンパッケージ、KGDにて提供可能で、小パッケージで低消費電力が求められるモバイル、ウェアラブル、IoTなどの厳しい要求に対応します。 <span class="match">1.2V</span>シリーズ製品は節電目的のために使われていますが、1.5V拡張品は、2個のバッテリを直列に使用して3V設計を提供する同様のソリューションに比べて、1個のみ使用することでバッテリコストを...

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ウィンボンド・エレクトロニクスはドイツで開催されるelectronicaで、オートモーティブグレードのNORフラッシュと、温度範囲を拡張した高性能シリアルNANDフラッシュを紹介しています。 ドイツ、ミュンヘン - 2018年11月13日 - 半導体メモリソリューションの世界的大手サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、本日SpiFlash® の<span class="match">1.2V</span> W25QNDシリーズが6４Mbまで拡大し、より大きな容量が必要とされるアプリケーションに向け、より広い分野での省電力効果を提供することが可能となったことを発表しました。 ウィンボンドは、すでに<span class="match">1.2V</span> SpiFlash®W25Q80...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-announces-new-64mbit-addition-to-ultra-low-power-1.2V-spiflash.html?__locale=ja

新製品W25Q64NE <span class="match">1.2V</span> シリアルNORフラッシュは、ワイヤレスイヤホンやフィットネス用リストバンドなど、新世代の無線コンシューマデバイスに必要とされる超低消費電力と大容量を提供 台湾台中市発 – 2022-03-16 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクスは本日、最新世代のスマートウェアラブルデバイスやモバイルデバイスに必要とされる大容量コードストレージとアクティブモードの省電力化を実現する64Mビットの<span class="match">1.2V</span>シリアルNORフラッシュW25Q64NEを発表しました。 ウィンボンドは、世界で初めて<span class="match">1.2V</span>シリアルNORフラ...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond_extends_64Mb_1.2V_SPI_NOR_Flash_storage_capacity.html?__locale=ja

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8M-bit <span class="match">1.2V</span> Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI 製品の特色 Dual/Quad Serial Peripheral Interface Uniform 4KB erasable sectors & 32KB/64KB erasable blocks 4,096 pages (256 bytes) Single/Dual/Quad Fast Read instructions 8/16/32/64byte wrap around for Fast Read Dual/Quad I/O instr...

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小型の8ピンパッケージを特長とする新しい<span class="match">1.2V</span>及び 1.5Vデバイス SAN JOSE, Calif., and TAICHUNG, Taiwan – July 14, 2017 – 半導体メモリソリューションの大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは、この度、低電圧のSpiFlash®メモリを発表し、フラッシュ製品ポートフォリオを拡大いたしました。この新しいSpiFlashファミリは、NORフラッシュ業界最低電圧レベルである<span class="match">1.2V</span>及び1.5V、8ピン小型パッケージで低消費電力を必要とするオーディオ、ウェアラブル、IoT、及び、様々な条件を要求するアプリケーションに向けたシリ...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-introduces-first-very-low-voltage-flash.html?__locale=ja

ウィンボンドは、コンシューマ、コンピュータ、通信及びその他電子製品に、半導体ソリューションを提供する有数のメーカーです。これまでに、IDD電流値の低いモバイルDRAMを開発していますが、現在はモバイル用DRAMメモリを、モバイルフォンやタブレットのみならず、一般消費者向けモバイル製品や通信の分野へと拡大しています。弊社のモバイルDRAMデバイスは、データ幅としてはx16とx32の両方をサポートしており、主な特長としては、シーケンシャルバーストあるいはインターリーブバースト、高いクロック速度、標準的なセルフリフレッシュ、パーシャル・アレイ・セルフリフレッシュ（PASR）、温度センサによるセルフリ...

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コードストレージフラッシュメモリファミリには、NOR、NAND、およびTrustME® セキュアフラッシュがあります。ウィンボンドは業界一のシリアルフラッシュサプライヤで、NORフラッシュメモリの最大サプライヤでもあります。SpiFlash® ファミリは、3Vおよび1.8V電圧、最速104MH zのスピードで作動し、512Kbから512Mbの容量帯を主に8ピン小型パッケージ、さらに16ピンSOICや24ボールBGAパッケージにて提供します。 SLC NANDパラレルフラッシュメモリは、JEDEC標準パッケージにて1Gb〜4Gbの容量で提供され、ONFi規格に準拠しています。ウィンボンドは、Sp...

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ウィンボンドのDRAM製品は、モバイルRAM、スペシャルティDRAMがあります。スペシャルティDRAMは、低・中容量に焦点を当てており、高性能・高速度という特性を誇り、コンシューマ、通信、コンピュータ周辺機器、産業用機器、および車載の各市場で広く採用されており、完成されたソリューションをお客様に提供することができます。SDR、DDR、DDR2、およびDDR3は、AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001の認証を受けており、また、産業用機器・車載の各用途をサポートしています。また、SiPパッケージボンディングおよびパワー・サーマル、DRAMシミュレー...

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Tsing Microは、ウィンボンドの1Gビット LPDDR3をシングルSiPに搭載したAIプロセッサ、TX510を発売 最大1.2T（Int8）の性能を誇り、生体認証および3DセンシングアプリケーションをリードするSoC「TX510」を、1866Mビット/秒の帯域幅を持つウィンボンドのDRAMがサポート 台湾台中市 – 2020年12月16日 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは本日、高性能・低消費電力かつ高帯域幅メモリであるのウィンボンド1Gビット LPDDR3 DRAMが、Tsing Micro社の最新AI(人工知能)So...

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ウィンボンドはSoc KL720に低消費電力・高バンド幅の1GビットのLPDDR3 DRAMを提供 ウィンボンドのDRAMを搭載したKneron社のKL720がエッジAIアプリケーションで電力および性能比の新たな業界基準を確立 台湾台中 – 2020年9月22日 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、人工知能（AI）のパイオニアであるKneron社が8月に発売した最新のSoC（システムオンチップ）KL720にウィンボンドの1Gビット LPDDR3 DRAMが採用されていることを発表しました。 Kneron社は、独自の...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/high-bandwidth-1gb-lpddr3-helps-kneron-kl720-achieve-1.4-tops-throughput-in-edge-ai.html?__locale=ja