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小型の8ピンパッケージを特長とする新しい1.2V及び 1.5Vデバイス SAN JOSE, Calif., and TAICHUNG, Taiwan – July 14, 2017 – 半導体メモリソリューションの大手サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは、この度、低電圧のSpiFlash®メモリを発表し、フラッシュ製品ポートフォリオを拡大いたしました。この新しいSpiFlashファミリは、NORフラッシュ業界最低電圧レベルである1.2V及び1.5V、8ピン小型パッケージで低消費電力を必要とするオーディオ、ウェアラブル、IoT、及び、様々な条件を要求するアプリケーションに向けたシリ...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond-introduces-first-very-low-voltage-flash.html?__locale=ja

新製品W25Q64NE 1.2V シリアルNORフラッシュは、ワイヤレスイヤホンやフィットネス用リストバンドなど、新世代の無線コンシューマデバイスに必要とされる超低消費電力と大容量を提供 台湾台中市発 – 2022-03-16 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクスは本日、最新世代のスマートウェアラブルデバイスやモバイルデバイスに必要とされる大容量コードストレージとアクティブモードの省電力化を実現する64Mビットの1.2VシリアルNORフラッシュW25Q64NEを発表しました。 ウィンボンドは、世界で初めて1.2VシリアルNORフラ...

https://www.winbond.com/hq/hq/about-winbond/news-and-events/news/winbond_extends_64Mb_1.2V_SPI_NOR_Flash_storage_capacity.html?__locale=ja

https://www.winbond.com/productResource-files/Winbond%201.2V%20Serial%20Flash%20Product%20Brief.pdf

1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : X8 – Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size:2,...

https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GF3FW.html?__locale=ja

1Gb NAND + 1Gb LPDDR2 Features W29N01GW NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x16 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size:...

https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GF1EW.html?__locale=ja

2Gb NAND + 1Gb LPDDR2 Features W29N02GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 2Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x8 – Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 2G-bit/256M-byte – Page size 2,...

https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW20GF3FW.html?__locale=ja

1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 Features W29N01GZ NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x8 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page size...

https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW10GE3FW.html?__locale=ja

1Gb NAND + 512Mb LPDDR2 Features W29N01GW NAND Flash Memory • Basic Features – Density : 1Gbit (Single chip solution) – Vcc : 1.7V to 1.95V – Bus width : x16 – Operating temperature Industrial: - 40°C to 85°C • Single-Level Cell (SLC) technology. • Organization – Density: 1G-bit/128M-byte – Page siz...

https://www.winbond.com/hq/hq/product/code-storage-flash-memory/nand-based-mcp/item/W71NW11GE1EW.html?__locale=ja

Internet of Things (IoT)の世界では、何億もデバイスが世界中のネットワークに接続されることが予測され、IoTノードの数は莫大になるといわれています。数学的に考えれば、１ノード当たりの平均製造コストを抑える必要があり、そうでなければ、IoTは実現不可能なものとなるでしょう。今日、エレクトロニクス業界の多くのサプライヤは、1ノードあたりのBOM（bill-of-material）コストは平均5ドルを超えないよう努力しています。 つまり、デバイス設計者は極度なコスト制限を受けることになります。家庭やオフィスで使用されているIoTノードの中には、すぐに利用できるWi-Fi®やBl...

https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/how-efficient-memory-solutions-can-help-designers-of-iot-nodes-meet-tight-bom-cost-targets.html?__locale=ja

今日の産業機器及び民生機器の基板回路における電源電圧は、広範囲に渡ります。最も一般的な電源電圧は5V、3V、2.5V、1.8V、更に低電圧なものも存在します。　異なるメーカーのデバイス間における互換性を確保し、ボードレベルの電源設計を複雑化させないために、半導体メーカーはこれらの標準電源電圧にて動作するよう製品を設計します。　これらは安定性と互換性ためですが、それに反する要求も種々あります。それは、モビリティです。 モバイルやウェアラブル機器の需要は増え続け、モバイル製品にとって、電池のサイズと重量は、いうのはデザインにおける最大の課題です。小型電池を用いることで製品の小型化につながり、また余...

https://www.winbond.com/hq/hq/support/online-learning/articles-item/the-keys-to-successful-adoption-of-new-low-voltage-memory.html?__locale=ja